BSR302NL6327HTSA1

BSR302NL6327HTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS


Infineon-BSR302N-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a3043156fd573011622e789f21f7c Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSR302NL6327HTSA1 - BSR302 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2858+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 2858
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSR302NL6327HTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-SC59-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSR302NL6327HTSA1 за ціною від 11.19 грн до 11.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSR302N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2025+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2025
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR302N-DS-v01_03-en-1226544.pdf MOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSR302N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.