Інші пропозиції BSR315PH6327XTSA1 за ціною від 11.65 грн до 80.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 16426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 16426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.12 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1643+ | 22.25 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1643+ | 22.25 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.25 грн |
| 16+ | 27.48 грн |
| 50+ | 23.46 грн |
| 78+ | 12.32 грн |
| 213+ | 11.65 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 233+ | 62.87 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.42 грн |
| 10+ | 37.78 грн |
| 50+ | 27.75 грн |
| 100+ | 22.99 грн |
| 500+ | 17.61 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.51 грн |
| 10+ | 30.82 грн |
| 100+ | 23.61 грн |
| 500+ | 18.11 грн |
| 3000+ | 13.51 грн |
| 6000+ | 12.18 грн |
| 9000+ | 11.95 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 80.13 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







