Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > BSR315PH6327XTSA1

BSR315PH6327XTSA1

Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0
Код товару: 165852
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSR315PH6327XTSA1 за ціною від 9.87 грн до 65.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsr315pdsv0106en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 936 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0 Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsr315pdsv0106en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsr315pdsv0106en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.08 грн
13+35.29 грн
50+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSR315P_DS_v01_06_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 20076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.57 грн
10+34.21 грн
100+19.24 грн
500+14.73 грн
1000+13.18 грн
3000+11.28 грн
9000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0 Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.02 грн
10+38.64 грн
100+24.91 грн
500+17.83 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 infineonbsr315pdsv0106en.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
936+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 936 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 infineonbsr315pdsv0106en.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 infineonbsr315pdsv0106en.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+52.08 грн
13+35.29 грн
50+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 Infineon_BSR315P_DS_v01_06_EN.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 20076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.57 грн
10+34.21 грн
100+19.24 грн
500+14.73 грн
1000+13.18 грн
3000+11.28 грн
9000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.02 грн
10+38.64 грн
100+24.91 грн
500+17.83 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.