Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > BSR315PH6327XTSA1

BSR315PH6327XTSA1

Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0
Код товару: 165852
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSR315PH6327XTSA1 за ціною від 13.78 грн до 62.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsr315pdsv0106en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.35 грн
100+29.76 грн
500+23.35 грн
1000+20.47 грн
3000+16.39 грн
6000+14.70 грн
9000+14.43 грн
15000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsr315pdsv0106en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.35 грн
477+29.76 грн
608+23.35 грн
1000+20.47 грн
3000+16.39 грн
6000+14.70 грн
9000+14.43 грн
15000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.80 грн
13+33.24 грн
50+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0 Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSR315P_DS_v01_06_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 12697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 infineonbsr315pdsv0106en.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+43.35 грн
100+29.76 грн
500+23.35 грн
1000+20.47 грн
3000+16.39 грн
6000+14.70 грн
9000+14.43 грн
15000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 infineonbsr315pdsv0106en.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
328+43.35 грн
477+29.76 грн
608+23.35 грн
1000+20.47 грн
3000+16.39 грн
6000+14.70 грн
9000+14.43 грн
15000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.80 грн
13+33.24 грн
50+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 Infineon_BSR315P_DS_v01_06_EN.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 12697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.