Інші пропозиції BSR315PH6327XTSA1 за ціною від 9.74 грн до 59.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 16505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 20076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR315PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |