Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSR316PH6327XTSA1
BSR316PH6327XTSA1

BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bsr316p-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-SC59-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSR316PH6327XTSA1 за ціною від 10.23 грн до 45.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.03 грн
9000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.73 грн
9000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.91 грн
9000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.63 грн
9000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+17.26 грн
38+16.21 грн
51+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
678+17.96 грн
682+17.85 грн
760+16.03 грн
1000+14.87 грн
2000+13.68 грн
3000+12.69 грн
6000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 678
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.57 грн
500+15.95 грн
1500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.26 грн
17+22.45 грн
61+14.59 грн
167+13.76 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.60 грн
13+24.11 грн
100+19.69 грн
500+14.62 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1
Код товару: 141413
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+43.63 грн
50+28.65 грн
100+21.57 грн
500+15.95 грн
1500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSR316P_DataSheet_v02_01_EN-3360923.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 108499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.04 грн
12+29.21 грн
100+18.14 грн
500+15.46 грн
1000+13.13 грн
3000+11.47 грн
9000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.91 грн
11+27.98 грн
61+17.51 грн
167+16.51 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 P-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.