BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSR316PH6327XTSA1 за ціною від 9.3 грн до 37.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 468000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 468000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 10215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 64653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 161776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.29A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V |
на замовлення 13503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.29A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 64653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSR316PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BSR316PH6327XTSA1 Код товару: 141413 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|