BSR43TA DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 38.39 грн |
| 19+ | 22.05 грн |
| 100+ | 14.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSR43TA DIODES INCORPORATED
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції BSR43TA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSR43TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BSR43TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BSR43TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSR43TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSR43TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSR43TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)