BSR802NL6327HTSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 39.45 грн |
| 32+ | 26.19 грн |
| 100+ | 21.64 грн |
| 500+ | 16.77 грн |
| 1000+ | 13.46 грн |
| 5000+ | 9.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSR802NL6327HTSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSR802NL6327HTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSR802NL6327HTSA1 Код товару: 142666
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
|
|
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
|
|
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3 |
товару немає в наявності |