Інші пропозиції BSR802NL6327HTSA1 за ціною від 10.94 грн до 60.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1447 @ 10, Qg, нКл = 4,7, Rds = 23 мОм, Ugs(th) = 750 мВ, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
BSR802NL6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3 |
товару немає в наявності |