
BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS119NH6327XTSA1 за ціною від 3.32 грн до 25.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 26096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 Код товару: 118883
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 22988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 83909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |