Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS119NH6327XTSA1
BSS119NH6327XTSA1

BSS119NH6327XTSA1

Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
Код товару: 118883
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS119NH6327XTSA1 за ціною від 3.15 грн до 25.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
6000+4.21 грн
9000+3.54 грн
24000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.78 грн
6000+4.25 грн
9000+3.58 грн
24000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+4.68 грн
9000+3.93 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+4.68 грн
9000+3.93 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+4.61 грн
9000+4.35 грн
15000+3.81 грн
21000+3.64 грн
30000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon info-tbss119n.pdf N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.16 грн
87+8.64 грн
88+8.56 грн
139+5.22 грн
250+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
907+15.49 грн
1450+9.69 грн
1909+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 907 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS119NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.63 грн
33+12.52 грн
50+8.73 грн
100+7.49 грн
500+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.37 грн
49+15.49 грн
100+9.69 грн
500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 70723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
20+14.97 грн
100+9.38 грн
500+6.50 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS119N_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.72 грн
6000+4.21 грн
9000+3.54 грн
24000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.78 грн
6000+4.25 грн
9000+3.58 грн
24000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.24 грн
6000+4.68 грн
9000+3.93 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.24 грн
6000+4.68 грн
9000+3.93 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.32 грн
6000+4.61 грн
9000+4.35 грн
15000+3.81 грн
21000+3.64 грн
30000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 info-tbss119n.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.16 грн
87+8.64 грн
88+8.56 грн
139+5.22 грн
250+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
907+15.49 грн
1450+9.69 грн
1909+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 907 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.63 грн
33+12.52 грн
50+8.73 грн
100+7.49 грн
500+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.37 грн
49+15.49 грн
100+9.69 грн
500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 70723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.40 грн
20+14.97 грн
100+9.38 грн
500+6.50 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 Infineon_BSS119N_DS_v02_01_en.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 INFNS19097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 INFNS19097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.