
на замовлення 633000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS123,215 за ціною від 1.47 грн до 20.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 25506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 369000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 135135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 369000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 462000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 76906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 35741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123.215 Код товару: 49331
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 100 V Idd,A: 0,15 A Rds(on), Ohm: 6 Ohm Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 135652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 32156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 76906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123.215 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 644 шт: термін постачання 5 дні (днів) |