на замовлення 2103000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.
Інші пропозиції BSS123,215 за ціною від 1.52 грн до 21.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 327000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 142002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 330855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 142002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia | MOSFET BSS123/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 110682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NXP |
N-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 9075 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NXP |
N-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS123,215 | Виробник : NXP Semiconductors | N-кан. MOSFET SOT-23 |
на замовлення 289 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BSS123.215 Код товару: 49331 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 100 V Idd,A: 0,15 A Rds(on), Ohm: 6 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|