Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS123-G
BSS123-G

BSS123-G ON Semiconductor

bss123-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3129+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3129
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123-G ON Semiconductor

Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS123-G за ціною від 6.24 грн до 32.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123-G BSS123-G Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3129+9.73 грн
10000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3129
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-G BSS123-G Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3129+9.73 грн
10000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3129
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-G BSS123-G Виробник : onsemi BSS123_D-2310466.pdf MOSFET FET 100V 6.0 MOHM
на замовлення 11044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.36 грн
100+21.82 грн
1000+8.24 грн
3000+7.42 грн
9000+7.20 грн
24000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-G Виробник : ON Semiconductor FET 100V 6.0 MOHM SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-G BSS123-G Виробник : onsemi Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-G BSS123-G Виробник : onsemi Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.