Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > BSS123_R1_00001
BSS123_R1_00001

BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

BSS123.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.4 грн
6000+ 2.14 грн
9000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS123_R1_00001 за ціною від 1.59 грн до 15.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+3.48 грн
135+ 2.63 грн
415+ 1.94 грн
1135+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 110
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+4.18 грн
100+ 3.28 грн
415+ 2.33 грн
1135+ 2.2 грн
9000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 65
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. BSS123.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 12095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.65 грн
30+ 9.48 грн
100+ 4.6 грн
500+ 3.6 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : Panjit BSS123-1876366.pdf MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 9524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.11 грн
29+ 10.54 грн
100+ 3.72 грн
1000+ 2.59 грн
3000+ 2.06 грн
9000+ 1.66 грн
24000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS123-R1-00001 BSS123-R1-00001 Виробник : Panjit BSS123-1876366.pdf MOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-100TMN
товар відсутній