Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > BSS123_R1_00001
BSS123_R1_00001

BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

BSS123.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.70 грн
6000+2.32 грн
9000+2.18 грн
15000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS123_R1_00001 за ціною від 2.00 грн до 18.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. BSS123.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 17269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.85 грн
42+8.00 грн
100+4.94 грн
500+3.37 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : Panjit 3343423332374437354233413832393631414432323146354530464233423230.pdf MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+15.22 грн
41+9.02 грн
100+4.88 грн
500+3.60 грн
1000+3.12 грн
3000+2.24 грн
6000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.26 грн
53+7.92 грн
100+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.32 грн
32+9.87 грн
100+5.85 грн
500+4.20 грн
1000+3.63 грн
3000+2.92 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 Виробник : PanJit BSS123.pdf BSS123_R1_00001
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1749+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 1749
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-R1-00001 BSS123-R1-00001 Виробник : Panjit BSS123-1876366.pdf MOSFETs SOT23 100V .17A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.