Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > BSS123_R1_00001
BSS123_R1_00001

BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

BSS123.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.47 грн
6000+2.23 грн
9000+1.71 грн
15000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS123_R1_00001 за ціною від 2.05 грн до 18.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. BSS123.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 15693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.76 грн
37+8.69 грн
100+5.37 грн
500+3.67 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : Panjit 3343423332374437354233413832393631414432323146354530464233423230.pdf MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.22 грн
40+8.89 грн
100+4.85 грн
500+3.49 грн
1000+3.03 грн
3000+2.20 грн
6000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.31 грн
50+8.06 грн
100+4.94 грн
404+2.30 грн
1111+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.37 грн
30+10.04 грн
100+5.92 грн
404+2.76 грн
1111+2.61 грн
6000+2.59 грн
9000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 Виробник : PanJit BSS123.pdf BSS123_R1_00001
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1678+9.67 грн
2041+6.02 грн
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 1678
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-R1-00001 BSS123-R1-00001 Виробник : Panjit BSS123-1876366.pdf MOSFETs SOT23 100V .17A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.