Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > BSS123_R1_00001
BSS123_R1_00001

BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

BSS123.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS123_R1_00001 за ціною від 2.19 грн до 13.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 PanJit bss123190725rev.01.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2347+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 2347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 PanJit bss123190725rev.01.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3068+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 PanJit Semiconductor BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.53 грн
47+8.89 грн
100+4.90 грн
500+3.03 грн
1000+2.52 грн
3000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Panjit International Inc. BSS123.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.86 грн
37+8.08 грн
100+4.98 грн
500+3.41 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Panjit 3CB327D75B3A82961AD221F5E0FB3B204D1D7D2014301FAE7C5734A28867A66C.pdf MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 bss123190725rev.01.pdf
BSS123_R1_00001
Виробник: PanJit
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2347+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 2347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 bss123190725rev.01.pdf
BSS123_R1_00001
Виробник: PanJit
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3068+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123.pdf
BSS123_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.53 грн
47+8.89 грн
100+4.90 грн
500+3.03 грн
1000+2.52 грн
3000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 BSS123.pdf
BSS123_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.86 грн
37+8.08 грн
100+4.98 грн
500+3.41 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123_R1_00001 3CB327D75B3A82961AD221F5E0FB3B204D1D7D2014301FAE7C5734A28867A66C.pdf
BSS123_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.