BSS123-TP Micro Commercial Components
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123-TP Micro Commercial Components
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSS123-TP за ціною від 1.47 грн до 16.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS123-TP | Виробник : Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123-TP | Виробник : Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123-TP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W |
на замовлення 10668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123-TP | Виробник : Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSS123-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSS123-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |