Продукція > ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED > BSS123
BSS123

BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

DS_4530_BSS123.pdf Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.83 грн
6000+1.56 грн
9000+1.46 грн
15000+1.26 грн
21000+1.20 грн
30000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS123 за ціною від 0.66 грн до 29.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123 BSS123 Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_BSS123%20SOT-23.PDF Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 35998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.92 грн
6000+1.64 грн
9000+1.53 грн
15000+1.33 грн
21000+1.26 грн
30000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : Good-Ark Semiconductor BSS123.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.49 грн
6000+2.12 грн
9000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.70 грн
6000+4.08 грн
9000+3.48 грн
15000+3.23 грн
21000+3.09 грн
30000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.56 грн
12000+4.49 грн
27000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2547000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.89 грн
6000+4.36 грн
9000+3.68 грн
24000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : NextGen Components BSS1230000SSAW.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.06 грн
9000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.24 грн
6000+4.32 грн
9000+3.53 грн
24000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2547000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.27 грн
6000+4.70 грн
9000+3.97 грн
24000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.62 грн
6000+4.63 грн
9000+3.80 грн
24000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_BSS123.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.42 грн
55+5.59 грн
100+3.41 грн
500+2.31 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 578971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.80 грн
500+6.61 грн
1500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : Good-Ark Semiconductor BSS123.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.56 грн
42+7.26 грн
51+5.96 грн
100+4.19 грн
250+3.49 грн
500+3.05 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : UMW 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.48 грн
32+9.68 грн
100+5.99 грн
500+4.11 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+19.61 грн
53+11.55 грн
111+5.47 грн
500+4.99 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 19277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.35 грн
26+14.97 грн
50+10.30 грн
100+8.53 грн
333+2.66 грн
915+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.42 грн
16+18.65 грн
50+12.35 грн
100+10.23 грн
333+3.19 грн
915+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi / Fairchild bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 192741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.97 грн
25+13.85 грн
100+5.22 грн
1000+4.72 грн
3000+3.99 грн
9000+3.12 грн
45000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 135420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.90 грн
18+17.54 грн
100+9.98 грн
500+5.74 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 578971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.88 грн
50+20.76 грн
100+11.80 грн
500+6.61 грн
1500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : HT SEMI bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : YFW bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000m? BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : MDD(Microdiode Electronics) bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : SLKOR bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : UMW bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : HXY MOSFET bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : SHIKUES bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : JSMicro Semiconductor bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 (ONSEMI)
Код товару: 207526
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : GALAXY bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : Fairchild bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : HT Jinyu Semiconductor bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+2.29 грн
60000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : Fairchild/ON Semiconductor bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_BSS123%20SOT-23.PDF Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : UMW 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : Diodes Incorporated ds30366-3194637.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : Nexperia bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : ROHM Semiconductor bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : Infineon Technologies bss123-d.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS123.pdf 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS1230000SSAW.pdf MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.