Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS123
BSS123

BSS123 ON Semiconductor

bss123-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BSS123 за ціною від 0.88 грн до 207.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 140
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+3.06 грн
45000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
98+3.84 грн
109+ 3.18 грн
250+ 2.81 грн
323+ 2.48 грн
888+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 98
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4 грн
9000+ 3.47 грн
24000+ 2.84 грн
45000+ 2.51 грн
99000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.17 грн
9000+ 3.58 грн
24000+ 3.43 грн
45000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.26 грн
6000+ 3.92 грн
9000+ 3.39 грн
30000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+4.61 грн
100+ 3.97 грн
250+ 3.37 грн
323+ 2.97 грн
888+ 2.81 грн
3000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 59
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1671+6.97 грн
2156+ 5.4 грн
2256+ 5.16 грн
3158+ 3.56 грн
3750+ 2.77 грн
6000+ 2.36 грн
15000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 1671
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 343978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+16.09 грн
47+ 12.32 грн
49+ 11.82 грн
100+ 6.24 грн
250+ 4.48 грн
500+ 4.11 грн
1000+ 2.93 грн
3000+ 2.47 грн
6000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.33 грн
39+ 15.13 грн
100+ 6.8 грн
500+ 6.47 грн
1000+ 4.43 грн
3000+ 3.26 грн
6000+ 3.22 грн
9000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 55745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
18+ 15.91 грн
100+ 8.06 грн
500+ 6.17 грн
1000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi / Fairchild BSS123_D-2310466.pdf MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 54154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.26 грн
17+ 18.56 грн
100+ 9.17 грн
1000+ 4.65 грн
2500+ 3.99 грн
10000+ 3.19 грн
15000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 343978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+29.51 грн
37+ 20.49 грн
100+ 7.97 грн
500+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSS123 Виробник : SHIKUES bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123 Виробник : UMW bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123 Виробник : JSMicro Semiconductor bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123 Виробник : HT Jinyu Semiconductor bss123-d.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10639+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 10639
BSS123 Виробник : Fairchild bss123-d.pdf N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+2 грн
Мінімальне замовлення: 250
BSS123 Виробник : Fairchild/ON Semiconductor bss123-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 19.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSS123 Виробник : SLKOR bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSS123 BSS123 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Technology: TRENCH POWER MV
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123 BSS123 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Technology: TRENCH POWER MV
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній