Інші пропозиції BSS123 (ONSEMI) за ціною від 0.68 грн до 39.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS123 | Виробник : HT SEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HTкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNBкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : REALCHIP |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SOT23 RealChip TBSS123 REAкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDDкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : YFW |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXYкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMWкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMWкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSMкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : GALAXY |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GALкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1848000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1848000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123 | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAIкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 5.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
на замовлення 12550 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : NextGen Components |
Description: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V |
на замовлення 10674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 5054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 469856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
на замовлення 15244 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V |
на замовлення 11117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC |
на замовлення 399121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 469856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : Analog Power Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 0.8A SOT-23Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BSS123 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS123 | Виробник : Microdiode Electronics (MDD) |
BSS123 |
на замовлення 2286000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS123 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS123 | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic |
N-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| BSS123 | Виробник : ONS/FAI |
N-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| BSS123 | Виробник : Infineon |
N-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
BSS123 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| BSS123 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| BSS123 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| DRV8837DSGR Код товару: 107914
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Код товару: 106453
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 221400 шт
216400 шт - склад
5000 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 133901 шт
123872 шт - склад
3434 шт - РАДІОМАГ-Київ
1520 шт - РАДІОМАГ-Львів
4000 шт - РАДІОМАГ-Харків
1075 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3434 шт - РАДІОМАГ-Київ
1520 шт - РАДІОМАГ-Львів
4000 шт - РАДІОМАГ-Харків
1075 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |
| NXG-02 Корпус вилки "мама" на кабель крок 2 мм Код товару: 41580
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Корпус без контактів, 2 виходи, на кабель
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 2 mm
Серія роз’єма: NXG
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Корпус без контактів, 2 виходи, на кабель
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 2 mm
Серія роз’єма: NXG
Монтаж: на провід
у наявності: 9013 шт
8125 шт - склад
300 шт - РАДІОМАГ-Київ
300 шт - РАДІОМАГ-Львів
288 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
300 шт - РАДІОМАГ-Київ
300 шт - РАДІОМАГ-Львів
288 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| NXG-T Термінал "мама" для вилки NX/PH Код товару: 29929
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" під крок роз'єму 2 мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2 mm
Серія роз’єма: Контакти для NXG
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" під крок роз'єму 2 мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2 mm
Серія роз’єма: Контакти для NXG
Монтаж: на провід
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
















