Продукція > ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED > BSS123

BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Name: BSS123
Brand: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
SKU: 82190106-3
Price: 5100.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.70 грн
6000+	1.45 грн
9000+	1.35 грн
15000+	1.17 грн
21000+	1.11 грн
30000+	1.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS123 за ціною від 0.68 грн до 39.82 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSS123

Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.78 грн
6000+	1.52 грн
9000+	1.42 грн
15000+	1.23 грн
21000+	1.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2064000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7178+	1.79 грн

Мінімальне замовлення: 7178

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2064000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	2.73 грн
6000+	2.71 грн
9000+	2.52 грн
15000+	2.41 грн
21000+	2.07 грн
75000+	1.79 грн
150000+	1.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V

на замовлення 252000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	4.50 грн
6000+	3.90 грн
9000+	3.68 грн
15000+	3.23 грн
21000+	3.09 грн
30000+	2.96 грн
75000+	2.62 грн
150000+	2.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : NextGen Components

Description: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	4.56 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.11 грн
9000+	5.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.62 грн
6000+	5.46 грн
12000+	4.81 грн
27000+	4.55 грн
51000+	4.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V

на замовлення 1569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
45+	7.03 грн
118+	2.56 грн
139+	2.17 грн
166+	1.70 грн
250+	1.53 грн
500+	1.43 грн
1000+	1.33 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
37+	8.59 грн
58+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V

на замовлення 5164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
34+	9.37 грн
57+	5.34 грн
100+	3.32 грн
500+	2.25 грн
1000+	1.97 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ONSEMI

на замовлення 485810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	9.88 грн
500+	6.79 грн
1500+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 11146 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
34+	13.50 грн
47+	9.02 грн
100+	5.14 грн
500+	3.53 грн
1000+	2.96 грн
1500+	2.67 грн
3000+	2.27 грн
6000+	1.94 грн
9000+	1.79 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	15.62 грн
34+	9.02 грн
100+	5.56 грн
500+	3.82 грн
1000+	3.37 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V

на замовлення 254623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	21.86 грн
24+	12.71 грн
100+	7.92 грн
500+	5.49 грн
1000+	4.87 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : onsemi

MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC

на замовлення 437818 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	22.27 грн
24+	13.49 грн
100+	7.36 грн
500+	5.41 грн
1000+	4.72 грн
3000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 485810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
32+	25.67 грн
52+	15.71 грн
100+	9.88 грн
500+	6.79 грн
1500+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	26.93 грн
50+	14.87 грн
100+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
25+	29.38 грн
47+	15.94 грн
100+	10.97 грн
500+	8.16 грн
1000+	6.59 грн
3000+	4.85 грн
6000+	4.81 грн
9000+	4.00 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : Analog Power Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	39.82 грн
12+	25.49 грн
100+	14.47 грн
500+	8.59 грн
1000+	7.60 грн
3000+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : HT SEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	0.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : CHIPNOBO

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
кількість в упаковці: 1000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	0.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : YFW

Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	0.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	0.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : UMW

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	0.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

BSS123 (ONSEMI)
Код товару: 207526

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : UMW

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	0.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : SLKOR

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	0.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : SHIKUES

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	1.00 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : HT Jinyu Semiconductor

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 234000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11539+	1.11 грн
60000+	0.97 грн

Мінімальне замовлення: 11539

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	1.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : GALAXY

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	1.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : Fairchild

N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	2.20 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : Fairchild/ON Semiconductor

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : Nexperia

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : ROHM Semiconductor

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSS123

Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.