Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS123 (ONSEMI)

BSS123 (ONSEMI)

Код товару: 207526
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни BSS123 (ONSEMI)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123-E6327 BSS123-E6327
Код товару: 98887
Додати до обраних Обраний товар
Siemens datasheet-bss123-e4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 55/1.78
Монтаж: SMD
у наявності: 174 шт
  • 174 шт - РАДІОМАГ-Київ
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-E6327
Код товару: 98887
Додати до обраних Обраний товар
datasheet-bss123-e4.pdf
BSS123-E6327
Виробник: Siemens
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 55/1.78
Монтаж: SMD
у наявності: 174 шт
  • 174 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції BSS123 (ONSEMI) за ціною від 0.72 грн до 25.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123 BSS123
Код товару: 220789
Додати до обраних Обраний товар
JCET BSS123jcet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 29/1,4
Монтаж: SMD
у наявності: 1818 шт
  • 1818 шт - склад
7+3.00 грн
10+2.20 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 CHIPNOBO TBSS123_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 MDD(Microdiode Electronics) TBSS123_MDD_MDD_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 REALCHIP BSS123_SOT-23(1)_REALCHIP.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SOT23 RealChip TBSS123 REA
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 YFW TBSS123__c_0001.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 GALAXY TBSS123_GAL_GALAXY_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 HT SEMI TBSS123_HT_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 2990 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 HXY MOSFET TBSS123_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 SLKOR TBSS123_SLK_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 SHIKUES TBSS123_SHK_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 UMW TBSS123_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 UMW TBSS123_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 JSMicro Semiconductor TBSS123_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Fairchild info-tbss123%20fai.pdf N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
6000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 12Ω
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
29+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.79 грн
50+10.64 грн
100+8.73 грн
500+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 247204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 405045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 MULTICOMP PRO 4778051.pdf Description: MULTICOMP PRO - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 405045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Fairchild/ON Semiconductor BSS123-Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123
Код товару: 220789
Додати до обраних Обраний товар
BSS123jcet.pdf
BSS123
Виробник: JCET
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 29/1,4
Монтаж: SMD
у наявності: 1818 шт
  • 1818 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.20 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf
BSS123
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_MDD_MDD_0001.pdf
BSS123
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123_SOT-23(1)_REALCHIP.pdf
BSS123
Виробник: REALCHIP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SOT23 RealChip TBSS123 REA
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123__c_0001.pdf
BSS123
Виробник: YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_GAL_GALAXY_0001.pdf
BSS123
Виробник: GALAXY
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_HT_0001.pdf
BSS123
Виробник: HT SEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 2990 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
BSS123
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_SLK_0001.pdf
BSS123
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_SHK_0001.pdf
BSS123
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_UMW_UMW_0001.pdf
BSS123
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_UMW_UMW_0001.pdf
BSS123
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123_JSM_JSMICRO_0001.pdf
BSS123
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 info-tbss123%20fai.pdf
BSS123
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.82 грн
6000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-FAI.pdf
BSS123
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 12Ω
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.16 грн
29+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
21+14.79 грн
50+10.64 грн
100+8.73 грн
500+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 247204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 2288251.pdf
BSS123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 405045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 4778051.pdf
BSS123
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 2288251.pdf
BSS123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 405045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-Fairchild.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

DRV8837DSGR
Код товару: 107914
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdrv8837

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Код товару: 106453
4 Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
160+0.13 грн
1000+0.10 грн
10000+0.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Код товару: 60735
3 Додати до обраних Обраний товар
yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 16884 шт
  • 10977 шт - склад
  • 884 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1200 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3478 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 345 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 250000 шт
  • 200000 шт - очікується 01.11.2026
  • 50000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
10000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXG-02 Корпус вилки "мама" на кабель крок 2 мм
Код товару: 41580
Додати до обраних Обраний товар
nxg-info.pdf
NXG-02 Корпус вилки "мама" на кабель крок 2 ммNXG-02 Корпус вилки "мама" на кабель крок 2 мм
NXG-02 Корпус вилки "мама" на кабель крок 2 ммNXG-02 Корпус вилки "мама" на кабель крок 2 мм
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Корпус без контактів, 2 виходи, на кабель
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 2
Крок контактів: 2 мм
Серія роз’єма: NXG
Монтаж: На провід
Розмір контакту: 8536 90 10 00
у наявності: 5802 шт
  • 5053 шт - склад
  • 215 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 260 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 274 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
12+1.70 грн
100+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXG-T Термінал "мама" для вилки NX/PH
Код товару: 29929
5 Додати до обраних Обраний товар
nxg-t-datasheet.pdf
NXG-T Термінал "мама" для вилки NX/PH
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" під крок роз'єму 2 мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
К-сть контактів: -
Крок контактів: 2 мм
Серія роз’єма: Контакти для NXG
Монтаж: На провід
Розмір контакту: 8536 90 10 00
у наявності: 28696 шт
  • 28696 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
13+1.60 грн
100+0.98 грн
1000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.