Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS123
BSS123

BSS123 ON Semiconductor

bss123-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSS123 за ціною від 0.67 грн до 36.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3037+4.00 грн
3074+3.95 грн
3106+3.91 грн
3145+3.72 грн
3178+3.41 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3037
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2646000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.01 грн
6000+3.55 грн
9000+2.51 грн
24000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 646750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.72 грн
6000+4.08 грн
9000+3.18 грн
15000+2.98 грн
21000+2.97 грн
30000+2.86 грн
75000+2.75 грн
150000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.26 грн
9000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 544751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.10 грн
1500+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.41 грн
6000+5.84 грн
12000+4.92 грн
27000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88BD4DE6196469&compId=BSS123-FAI.pdf?ci_sign=3de4c6cb611ab88835293b2fa726130d1a2a405d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.31 грн
43+9.40 грн
66+6.06 грн
100+5.03 грн
425+2.18 грн
1167+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+16.31 грн
77+9.12 грн
147+4.74 грн
150+4.47 грн
250+4.03 грн
500+3.77 грн
1000+3.66 грн
3000+3.57 грн
6000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88BD4DE6196469&compId=BSS123-FAI.pdf?ci_sign=3de4c6cb611ab88835293b2fa726130d1a2a405d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.37 грн
26+11.71 грн
50+7.28 грн
100+6.04 грн
425+2.62 грн
1167+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 646814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.60 грн
20+16.11 грн
100+9.31 грн
500+5.76 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : onsemi / Fairchild BSS123-D.PDF MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 260486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.41 грн
20+18.13 грн
100+9.10 грн
500+5.91 грн
1000+5.15 грн
3000+4.32 грн
6000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+28.03 грн
149+4.68 грн
150+4.63 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 544751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.27 грн
50+20.75 грн
100+11.90 грн
500+7.10 грн
1500+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.50 грн
29+24.53 грн
100+14.19 грн
500+8.89 грн
1000+7.15 грн
3000+5.74 грн
6000+5.13 грн
9000+4.00 грн
24000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : HT SEMI bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : YFW bss123-d.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : MDD(Microdiode Electronics) bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : SLKOR bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : UMW bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : SHIKUES bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 (ONSEMI)
Код товару: 207526
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : JSMicro Semiconductor bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : HT Jinyu Semiconductor bss123-d.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+1.05 грн
60000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : GALAXY bss123-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : Fairchild bss123-d.pdf N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : Fairchild/ON Semiconductor bss123-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC15785F8AAF8BF&compId=BSS123.pdf?ci_sign=2dea2ca6d5fdfd9e3851718b915cca6114940d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 5.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : Diodes Incorporated BSS123.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : Nexperia bss123-d.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Виробник : ROHM Semiconductor bss123-d.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : Infineon Technologies bss123-d.pdf MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC15785F8AAF8BF&compId=BSS123.pdf?ci_sign=2dea2ca6d5fdfd9e3851718b915cca6114940d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 5.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.