Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS123 JCET
BSS123

BSS123 JCET

BSS123jcet.pdf
Код товару: 220789
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: JCET
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 29/1,4
Монтаж: SMD
у наявності: 1711 шт
  • 1711 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.20 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни BSS123 JCET

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123-E6327 BSS123-E6327
Код товару: 98887
Додати до обраних Обраний товар
Siemens datasheet-bss123-e4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 55/1.78
Монтаж: SMD
у наявності: 152 шт
  • 152 шт - РАДІОМАГ-Київ
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-E6327
Код товару: 98887
Додати до обраних Обраний товар
datasheet-bss123-e4.pdf
BSS123-E6327
Виробник: Siemens
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 55/1.78
Монтаж: SMD
у наявності: 152 шт
  • 152 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції BSS123 за ціною від 0.79 грн до 35.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123 BSS123 YY BSS123_SOT-23(1)_REALCHIP.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123-F2-0000HF TBSS123 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 2900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 YFW TBSS123__c_0001.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5435+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 5435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.88 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
6000+5.85 грн
9000+5.78 грн
12000+5.47 грн
27000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 12Ω
на замовлення 47440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.49 грн
46+9.02 грн
55+7.59 грн
100+6.99 грн
250+6.20 грн
461+2.05 грн
1266+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.74 грн
20+14.96 грн
50+10.76 грн
100+8.82 грн
500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 199939 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+35.32 грн
13+24.19 грн
100+13.27 грн
500+8.36 грн
1000+7.33 грн
3000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 401900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 MULTICOMP PRO 4778051.pdf Description: MULTICOMP PRO - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 401900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Microdiode Electronics (MDD) BSS123-D.PDF BSS123
на замовлення 2100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.82 грн
1050000+1.66 грн
1575000+1.55 грн
2100000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 Fairchild/ON Semiconductor BSS123-Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123_SOT-23(1)_REALCHIP.pdf
BSS123
Виробник: YY
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123-F2-0000HF TBSS123 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 2900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 TBSS123__c_0001.pdf
BSS123
Виробник: YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 bss123-d.pdf
BSS123
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 bss123-d.pdf
BSS123
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5435+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 5435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.88 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 bss123-d.pdf
BSS123
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.96 грн
6000+5.85 грн
9000+5.78 грн
12000+5.47 грн
27000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-FAI.pdf
BSS123
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 12Ω
на замовлення 47440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.49 грн
46+9.02 грн
55+7.59 грн
100+6.99 грн
250+6.20 грн
461+2.05 грн
1266+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.74 грн
20+14.96 грн
50+10.76 грн
100+8.82 грн
500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 199939 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.32 грн
13+24.19 грн
100+13.27 грн
500+8.36 грн
1000+7.33 грн
3000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 bss123-d.pdf
BSS123
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 2288251.pdf
BSS123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 401900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 4778051.pdf
BSS123
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 2288251.pdf
BSS123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 401900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-D.PDF
Виробник: Microdiode Electronics (MDD)
BSS123
на замовлення 2100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9000+1.82 грн
1050000+1.66 грн
1575000+1.55 грн
2100000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123-Fairchild.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

5,1 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-075K1L - YAGEO) резистор SMD 5.1k Ohm-±1%--0603
Код товару: 108008
Додати до обраних Обраний товар
5,1 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-075K1L - YAGEO) резистор SMD 5.1k Ohm-±1%--0603
Виробник: YAGEO
SMD резистори > 0603
Номінал: 5,1 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 8303 шт
  • 7908 шт - склад
  • 395 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
40+0.50 грн
160+0.13 грн
1000+0.10 грн
10000+0.06 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
51 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2193
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
51 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 51 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 2870 шт
  • 2870 шт - склад
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-30K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2186
1 Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
30 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-30K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 30 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 9792 шт
  • 9456 шт - склад
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 301 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-18R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2087
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
18 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-18R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 18 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 3610 шт
  • 2400 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1210 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N101J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 1912
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
100pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N101J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 2820 шт
  • 2820 шт - склад
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.30 грн
100+0.90 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.