BSS123IXTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.55 грн |
| 6000+ | 3.18 грн |
| 9000+ | 2.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123IXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm.
Інші пропозиції BSS123IXTSA1 за ціною від 2.32 грн до 23.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS123IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V |
на замовлення 13515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 40448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |