BSS123IXTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS123IXTSA1; BSS123I TBSS123i
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123IXTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.
Інші пропозиції BSS123IXTSA1 за ціною від 2.67 грн до 17.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4285910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 73583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5789 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V |
на замовлення 14508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 32040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.56 грн |
| 6000+ | 3.07 грн |
| 9000+ | 2.89 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4285910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9837+ | 3.60 грн |
| 11030+ | 3.21 грн |
| 100000+ | 2.69 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 73583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9837+ | 3.60 грн |
| 11030+ | 3.21 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.25 грн |
| 6000+ | 3.78 грн |
| 9000+ | 2.80 грн |
| 24000+ | 2.67 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3334+ | 4.25 грн |
| 6000+ | 3.78 грн |
| 9000+ | 2.80 грн |
| 24000+ | 2.67 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.31 грн |
| 6000+ | 3.84 грн |
| 9000+ | 2.84 грн |
| 24000+ | 2.69 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3268+ | 4.34 грн |
| 6000+ | 3.86 грн |
| 9000+ | 2.85 грн |
| 24000+ | 2.71 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.84 грн |
| 57+ | 7.31 грн |
| 78+ | 5.33 грн |
| 100+ | 4.72 грн |
| 500+ | 3.66 грн |
| 1000+ | 3.28 грн |
| 3000+ | 2.78 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 13.27 грн |
| 100+ | 7.90 грн |
| 500+ | 5.86 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1069+ | 13.27 грн |
| 1795+ | 7.90 грн |
| 2420+ | 5.86 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 14508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.86 грн |
| 29+ | 10.32 грн |
| 100+ | 6.39 грн |
| 500+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 3.88 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 32040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)