Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123IXTSA1
BSS123IXTSA1

BSS123IXTSA1 Infineon Technologies

bss123i.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS123IXTSA1 за ціною від 1.74 грн до 18.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4824+2.51 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 4824
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4732+2.56 грн
6000+2.27 грн
9000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 4732
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 161680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11719+2.58 грн
100000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11719
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 112583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11719+2.58 грн
100000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11719
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.69 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
6000+2.46 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
6000+2.45 грн
9000+2.22 грн
15000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : INFINEON 3208404.pdf Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.29 грн
1500+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1240+9.77 грн
2591+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 1240
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.42 грн
38+10.55 грн
45+8.82 грн
78+5.06 грн
100+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 17420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.36 грн
32+10.08 грн
100+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.30 грн
23+13.15 грн
27+10.59 грн
50+6.07 грн
100+4.78 грн
362+3.07 грн
994+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 8487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.47 грн
36+9.91 грн
100+4.08 грн
500+3.71 грн
3000+2.12 грн
6000+1.97 грн
9000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : INFINEON 3208404.pdf Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+18.15 грн
86+9.92 грн
180+4.72 грн
500+4.29 грн
1500+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.