BSS123IXTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.45 грн |
| 9000+ | 2.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123IXTSA1 Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSS123IXTSA1 за ціною від 2.71 грн до 21.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4285910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 73583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.77A Gate charge: 0.63nC Technology: OptiMOS™ |
на замовлення 679 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V |
на замовлення 21863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 25031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon |
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Транзистори |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.57 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3990+ | 3.57 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4285910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9837+ | 3.62 грн |
| 11030+ | 3.23 грн |
| 100000+ | 2.71 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 73583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9837+ | 3.62 грн |
| 11030+ | 3.23 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.04 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3505+ | 4.06 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.77A
Gate charge: 0.63nC
Technology: OptiMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.77A
Gate charge: 0.63nC
Technology: OptiMOS™
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 12.44 грн |
| 53+ | 7.84 грн |
| 69+ | 5.99 грн |
| 100+ | 5.47 грн |
| 500+ | 4.10 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 21863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.97 грн |
| 30+ | 9.95 грн |
| 50+ | 7.13 грн |
| 100+ | 5.83 грн |
| 500+ | 4.27 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 655+ | 21.77 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 21.90 грн |
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 25031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS123IXTSA1 |
|
Виробник: Infineon
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Транзистори
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Транзистори
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 136+ | 5.77 грн |