Продукція > INFINEON > BSS123IXTSA1
BSS123IXTSA1

BSS123IXTSA1 Infineon

infineon-bss123i-datasheet-en_INFINEON.pdf
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS123IXTSA1; BSS123I TBSS123i
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123IXTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.

Інші пропозиції BSS123IXTSA1 за ціною від 2.66 грн до 18.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4285910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9837+3.58 грн
11030+3.20 грн
100000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 9837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 73583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9837+3.58 грн
11030+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 9837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.66 грн
9000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.23 грн
6000+3.76 грн
9000+2.78 грн
24000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+4.23 грн
6000+3.76 грн
9000+2.78 грн
24000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3268+4.32 грн
6000+3.84 грн
9000+2.99 грн
24000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
6000+3.89 грн
9000+3.03 грн
24000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.15 грн
57+7.54 грн
78+5.50 грн
100+4.86 грн
500+3.78 грн
1000+3.38 грн
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+10.21 грн
100+7.86 грн
500+5.82 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+10.23 грн
1795+7.87 грн
2420+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 1380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 31863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.41 грн
30+10.56 грн
50+7.57 грн
100+6.17 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS123I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 32040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON 3208404.pdf Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON 3208404.pdf Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4285910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9837+3.58 грн
11030+3.20 грн
100000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 9837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 73583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9837+3.58 грн
11030+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 9837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.66 грн
9000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.23 грн
6000+3.76 грн
9000+2.78 грн
24000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3334+4.23 грн
6000+3.76 грн
9000+2.78 грн
24000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3268+4.32 грн
6000+3.84 грн
9000+2.99 грн
24000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.37 грн
6000+3.89 грн
9000+3.03 грн
24000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.15 грн
57+7.54 грн
78+5.50 грн
100+4.86 грн
500+3.78 грн
1000+3.38 грн
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+10.21 грн
100+7.86 грн
500+5.82 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1380+10.23 грн
1795+7.87 грн
2420+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 1380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 31863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.41 грн
30+10.56 грн
50+7.57 грн
100+6.17 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon_BSS123I_DataSheet_v02_00_EN.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 32040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 3208404.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 3208404.pdf
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.