BSS123LT1G ON
Код товару: 42430
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності: 1023 шт
- 890 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.22 грн до 21.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS123LT1G | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 7030 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS123LT1G | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 341760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5883000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5883000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2157000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2157000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 100709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 19341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 342502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | onsemi |
MOSFETs 100V 170mA N-Channel |
на замовлення 195766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 100709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G |
MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.34 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.34 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 341760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.84 грн |
| 6000+ | 3.32 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.87 грн |
| 6000+ | 3.84 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3624+ | 3.91 грн |
| 6000+ | 3.88 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.16 грн |
| 6000+ | 4.11 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3410+ | 4.16 грн |
| 6000+ | 4.11 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.66 грн |
| 9000+ | 4.56 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.28 грн |
| 6000+ | 5.04 грн |
| 12000+ | 4.89 грн |
| 27000+ | 4.62 грн |
| 51000+ | 4.20 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 117+ | 6.46 грн |
| 119+ | 6.40 грн |
| 121+ | 6.27 грн |
| 187+ | 3.90 грн |
| 250+ | 3.54 грн |
| 500+ | 2.56 грн |
| 1000+ | 2.29 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.22 грн |
| 500+ | 5.62 грн |
| 1500+ | 4.63 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 10.74 грн |
| 58+ | 7.23 грн |
| 79+ | 5.30 грн |
| 100+ | 4.60 грн |
| 250+ | 3.79 грн |
| 500+ | 3.28 грн |
| 1000+ | 3.00 грн |
| 3000+ | 2.50 грн |
| 6000+ | 2.22 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 15.18 грн |
| 100+ | 9.43 грн |
| 250+ | 8.56 грн |
| 500+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 3.93 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 934+ | 15.18 грн |
| 1450+ | 9.78 грн |
| 1478+ | 9.59 грн |
| 1961+ | 6.97 грн |
| 3093+ | 4.09 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 342502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.19 грн |
| 26+ | 11.74 грн |
| 100+ | 7.30 грн |
| 500+ | 5.04 грн |
| 1000+ | 4.46 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V 170mA N-Channel
MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 195766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.78 грн |
| 26+ | 12.46 грн |
| 100+ | 6.77 грн |
| 500+ | 4.97 грн |
| 1000+ | 4.49 грн |
| 3000+ | 3.38 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 21.58 грн |
| 80+ | 10.07 грн |
| 100+ | 8.22 грн |
| 500+ | 5.62 грн |
| 1500+ | 4.63 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS123LT1G |
![]() |
MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 14.85 грн |
З цим товаром купують
| BSS84P Код товару: 122858
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 0,17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 0,17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 606 шт
- 418 шт - склад
- 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 2.80 грн |
| 100+ | 2.40 грн |
| 20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome) Код товару: 105466
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 20910 шт
- 11310 шт - склад
- 4300 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1300 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні) Код товару: 26603
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін. напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп. діапазон: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс. пульсуючий струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін. напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп. діапазон: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс. пульсуючий струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41283
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 47 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
Робочий струм, A: 3,25 A
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 47 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
Робочий струм, A: 3,25 A
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.50 грн |
| 10+ | 13.90 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 42147
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 50289 шт
- 47667 шт - склад
- 2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |











