Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS123LT1G ON
BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

bss123lt1-d.pdf
Код товару: 42430
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності 277 шт:
39 шт - склад
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
181 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.29 грн до 24.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2478000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3917+3.30 грн
6000+3.20 грн
9000+3.17 грн
15000+3.02 грн
21000+2.77 грн
30000+2.63 грн
75000+2.61 грн
150000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3917
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3837+3.36 грн
6000+3.24 грн
12000+3.13 грн
27000+2.98 грн
51000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3837
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2478000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.53 грн
6000+3.43 грн
9000+3.39 грн
15000+3.24 грн
21000+2.97 грн
30000+2.82 грн
75000+2.80 грн
150000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 527795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.89 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1635000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3240+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3240
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.22 грн
9000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1635000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+7.69 грн
97+7.61 грн
156+4.59 грн
250+4.21 грн
500+3.20 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1631+7.92 грн
1647+7.84 грн
2084+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 1631
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.62 грн
500+5.93 грн
1500+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 153900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.60 грн
28+11.79 грн
100+6.41 грн
500+4.74 грн
1000+4.18 грн
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 527822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.39 грн
26+11.86 грн
100+7.40 грн
500+5.12 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12036 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.69 грн
62+6.80 грн
74+5.71 грн
100+5.20 грн
250+4.46 грн
500+3.99 грн
1000+3.52 грн
3000+2.99 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.70 грн
59+13.83 грн
100+8.62 грн
500+5.93 грн
1500+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+24.03 грн
54+13.75 грн
100+8.18 грн
250+7.50 грн
500+5.69 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON-Semiconductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON-Semiconductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
34+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 452 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS84P
Код товару: 122858
Додати до обраних Обраний товар

BSS84P
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 692 шт
548 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна
6+3.50 грн
10+2.80 грн
100+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Код товару: 26603
Додати до обраних Обраний товар

ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41283
Додати до обраних Обраний товар

CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 47 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 3.25A
у наявності: 2807 шт
2748 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+15.50 грн
10+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1K5R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 77154
Додати до обраних Обраний товар

1,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1K5R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1,5 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 6202 шт
6200 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
100+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Код товару: 105466
Додати до обраних Обраний товар

komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 39530 шт
29530 шт - склад
4300 шт - РАДІОМАГ-Київ
1500 шт - РАДІОМАГ-Львів
4200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.