BSS123LT1G

BSS123LT1G ON


bss123lt1-d.pdf
Код товару: 42430
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності 1567 шт:

1109 шт - склад
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
201 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+3.00 грн
16+2.50 грн
100+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.24 грн до 21.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2832000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5155+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 5155
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2832000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 819000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4452+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 4452
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4262+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 4262
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 819000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3837+3.24 грн
6000+3.13 грн
12000+3.02 грн
27000+2.87 грн
51000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3837
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3547+3.51 грн
3686+3.37 грн
3837+3.24 грн
4000+3.00 грн
4179+2.66 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3547
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.18 грн
6000+3.62 грн
9000+3.41 грн
15000+2.98 грн
21000+2.85 грн
30000+2.72 грн
75000+2.40 грн
150000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.42 грн
9000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 130724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.81 грн
1500+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+10.62 грн
121+5.88 грн
122+5.83 грн
190+3.62 грн
250+3.23 грн
500+2.98 грн
1000+2.86 грн
3000+2.73 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.80 грн
44+9.38 грн
65+6.31 грн
100+5.29 грн
250+4.26 грн
500+3.67 грн
1000+3.19 грн
3000+2.66 грн
6000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.77 грн
26+11.69 грн
50+7.57 грн
100+6.35 грн
250+5.11 грн
500+4.41 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+19.84 грн
65+11.00 грн
104+6.88 грн
500+5.15 грн
1000+4.49 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 289222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.15 грн
28+11.97 грн
100+7.43 грн
500+5.14 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi 9AC59B6D0D252CC1EA84010CFDFEB7C9C4AA9DA9E0446D2985422C008A77FCE7.pdf MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 81074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+21.01 грн
32+11.34 грн
100+6.13 грн
500+4.81 грн
1000+4.50 грн
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 130724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+21.77 грн
70+12.54 грн
109+7.99 грн
500+5.81 грн
1500+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 452 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Код товару: 26603
Додати до обраних Обраний товар

ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
у наявності: 200 шт
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
64 шт - РАДІОМАГ-Львів
57 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
8+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KX-3HT 8.0 MHz
Код товару: 27906
Додати до обраних Обраний товар

KX-3H.pdf
KX-3HT 8.0 MHz
Виробник: Geyer/Strong
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
у наявності: 2728 шт
2386 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
45 шт - РАДІОМАГ-Львів
140 шт - РАДІОМАГ-Харків
121 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
6+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.50 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1730
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,99 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 7775 шт
2902 шт - склад
4873 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
300+0.15 грн
1000+0.12 грн
10000+0.09 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148
Код товару: 2413
Додати до обраних Обраний товар

LL4148-D.PDF ll4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf LL4148.pdf 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 53838 шт
45205 шт - склад
1924 шт - РАДІОМАГ-Київ
2411 шт - РАДІОМАГ-Львів
580 шт - РАДІОМАГ-Харків
3718 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
40+1.00 грн
80+0.50 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.