Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS123LT1G ON
BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

BSS123LT1-D.PDF
Код товару: 42430
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності: 1023 шт
  • 890 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 115 шт
  • 115 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.23 грн до 21.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123LT1G BSS123LT1G ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5718000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.95 грн
6000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.10 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
6000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3410+4.14 грн
6000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.26 грн
6000+5.01 грн
12000+4.86 грн
27000+4.60 грн
51000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5718000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.54 грн
6000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+6.58 грн
116+6.52 грн
118+6.39 грн
183+3.97 грн
250+3.60 грн
500+2.60 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.81 грн
58+7.28 грн
79+5.34 грн
100+4.64 грн
250+3.82 грн
500+3.31 грн
1000+3.02 грн
3000+2.52 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
934+15.12 грн
1448+9.75 грн
1477+9.56 грн
1961+6.94 грн
3106+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+15.16 грн
100+9.77 грн
250+9.58 грн
500+6.96 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.12 грн
25+12.50 грн
100+7.78 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 164624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 97048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 97048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
34+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G TBSS123_0124.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G TBSS123_0124.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5718000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.95 грн
6000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.10 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.14 грн
6000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3410+4.14 грн
6000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.26 грн
6000+5.01 грн
12000+4.86 грн
27000+4.60 грн
51000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5718000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.54 грн
6000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+6.58 грн
116+6.52 грн
118+6.39 грн
183+3.97 грн
250+3.60 грн
500+2.60 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G.PDF
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.81 грн
58+7.28 грн
79+5.34 грн
100+4.64 грн
250+3.82 грн
500+3.31 грн
1000+3.02 грн
3000+2.52 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
934+15.12 грн
1448+9.75 грн
1477+9.56 грн
1961+6.94 грн
3106+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+15.16 грн
100+9.77 грн
250+9.58 грн
500+6.96 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.12 грн
25+12.50 грн
100+7.78 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 164624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 3760328.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 97048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 3760328.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 97048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 2255231.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS84P
Код товару: 122858
Додати до обраних Обраний товар
BSS84P
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 0,17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 606 шт
  • 418 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+2.80 грн
100+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25A, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41283
3 Додати до обраних Обраний товар
CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25A, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 47 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 47uH, ±20%, Idc=3.25A, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3 мм, h=8,0 мм
Робочий струм, А: 3,25 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 2625 шт
  • 2625 шт - склад
на замовлення: 40 шт
  • 40 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.50 грн
10+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 19184 шт
  • 10927 шт - склад
  • 3990 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 767 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 148000 шт
  • 148000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1K5R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 77154
3 Додати до обраних Обраний товар
1,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1K5R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1,5 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 1282 шт
  • 1280 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
на замовлення: 1000 шт
  • 1000 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Код товару: 105466
3 Додати до обраних Обраний товар
komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 20 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 18910 шт
  • 9510 шт - склад
  • 4300 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.