Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS123LT1G ON
BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

bss123lt1-d.pdf
Код товару: 42430
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності 57 шт:
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.29 грн до 24.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1545000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4110+3.15 грн
6000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4110
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2373000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3917+3.30 грн
6000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3917
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1545000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.37 грн
6000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2373000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.54 грн
6000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 454452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.85 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3074+4.21 грн
6000+4.07 грн
12000+3.89 грн
27000+3.64 грн
51000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3074
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.22 грн
9000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 108497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.64 грн
500+5.94 грн
1500+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+8.91 грн
84+8.81 грн
86+8.63 грн
133+5.37 грн
250+4.87 грн
500+3.52 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
966+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 966
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 454517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.65 грн
26+11.81 грн
100+7.33 грн
500+5.06 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 202091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.65 грн
28+11.81 грн
100+6.43 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.74 грн
62+6.81 грн
74+5.72 грн
100+5.22 грн
250+4.48 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
3000+2.99 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 108497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.75 грн
59+13.86 грн
100+8.64 грн
500+5.94 грн
1500+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.86 грн
47+15.80 грн
51+14.69 грн
100+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
34+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor BSS123LT1-D_ONS.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 0,2, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : On Semiconductor BSS123.pdf N-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS84P
Код товару: 122858
Додати до обраних Обраний товар
BSS84P
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 742 шт
548 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
6+3.50 грн
10+2.80 грн
100+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Код товару: 105466
2 Додати до обраних Обраний товар
komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 24330 шт
14330 шт - склад
4300 шт - РАДІОМАГ-Київ
1500 шт - РАДІОМАГ-Львів
4200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Код товару: 26603
1 Додати до обраних Обраний товар
ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41283
4 Додати до обраних Обраний товар
CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 47 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 3.25A
у наявності: 84 шт
25 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+15.50 грн
10+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 103032 шт
99480 шт - склад
220 шт - РАДІОМАГ-Київ
2967 шт - РАДІОМАГ-Львів
365 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.