Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS123LT1G ON
BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

BSS123LT1-D.PDF
Код товару: 42430
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності: 1023 шт
  • 890 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.22 грн до 21.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123LT1G BSS123LT1G ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 341760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.87 грн
6000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3624+3.91 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.16 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3410+4.16 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
6000+5.04 грн
12000+4.89 грн
27000+4.62 грн
51000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+6.46 грн
119+6.40 грн
121+6.27 грн
187+3.90 грн
250+3.54 грн
500+2.56 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.22 грн
500+5.62 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.74 грн
58+7.23 грн
79+5.30 грн
100+4.60 грн
250+3.79 грн
500+3.28 грн
1000+3.00 грн
3000+2.50 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+15.18 грн
100+9.43 грн
250+8.56 грн
500+6.20 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
934+15.18 грн
1450+9.78 грн
1478+9.59 грн
1961+6.97 грн
3093+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 342502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.74 грн
100+7.30 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 195766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.46 грн
100+6.77 грн
500+4.97 грн
1000+4.49 грн
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.58 грн
80+10.07 грн
100+8.22 грн
500+5.62 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
34+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G TBSS123_0124.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G TBSS123_0124.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 341760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.87 грн
6000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3624+3.91 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.16 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3410+4.16 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 2255231.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.66 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.28 грн
6000+5.04 грн
12000+4.89 грн
27000+4.62 грн
51000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+6.46 грн
119+6.40 грн
121+6.27 грн
187+3.90 грн
250+3.54 грн
500+2.56 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 3760328.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.22 грн
500+5.62 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G.PDF
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.74 грн
58+7.23 грн
79+5.30 грн
100+4.60 грн
250+3.79 грн
500+3.28 грн
1000+3.00 грн
3000+2.50 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+15.18 грн
100+9.43 грн
250+8.56 грн
500+6.20 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
934+15.18 грн
1450+9.78 грн
1478+9.59 грн
1961+6.97 грн
3093+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 342502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.19 грн
26+11.74 грн
100+7.30 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 195766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.78 грн
26+12.46 грн
100+6.77 грн
500+4.97 грн
1000+4.49 грн
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 3760328.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+21.58 грн
80+10.07 грн
100+8.22 грн
500+5.62 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS84P
Код товару: 122858
Додати до обраних Обраний товар
BSS84P
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 0,17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 606 шт
  • 418 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+2.80 грн
100+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Код товару: 105466
3 Додати до обраних Обраний товар
komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 20910 шт
  • 11310 шт - склад
  • 4300 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1300 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Код товару: 26603
1 Додати до обраних Обраний товар
ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін. напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп. діапазон: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс. пульсуючий струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41283
3 Додати до обраних Обраний товар
CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 47 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
Робочий струм, A: 3,25 A
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується 05.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.50 грн
10+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 50289 шт
  • 47667 шт - склад
  • 2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.