BSS123LT1G ON
Код товару: 42430
Виробник: ONКорпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності 1567 шт:
1109 шт - склад
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
201 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.04 грн до 23.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2787000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2787000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 621000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 621000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 388690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 126769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5744 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 388787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V 170mA N-Channel |
на замовлення 147562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 126769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 430 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS123LT1G |
MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 452 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
З цим товаром купують
| 100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні) Код товару: 26603
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
у наявності: 12 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| KX-3HT 8.0 MHz Код товару: 27906
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Geyer/Strong
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
у наявності: 1643 шт
1299 шт - склад
56 шт - РАДІОМАГ-Київ
44 шт - РАДІОМАГ-Львів
123 шт - РАДІОМАГ-Харків
121 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
56 шт - РАДІОМАГ-Київ
44 шт - РАДІОМАГ-Львів
123 шт - РАДІОМАГ-Харків
121 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.50 грн |
| 1000+ | 4.90 грн |
| 4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1730
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,99 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,99 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 3275 шт
1902 шт - склад
1373 шт - РАДІОМАГ-Київ
1373 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.15 грн |
| 1000+ | 0.12 грн |
| 10000+ | 0.09 грн |
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 42979 шт
34952 шт - склад
1904 шт - РАДІОМАГ-Київ
2281 шт - РАДІОМАГ-Львів
514 шт - РАДІОМАГ-Харків
3328 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1904 шт - РАДІОМАГ-Київ
2281 шт - РАДІОМАГ-Львів
514 шт - РАДІОМАГ-Харків
3328 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |








