Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS123LT1G ON
BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

bss123lt1-d.pdf
Код товару: 42430
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності 1673 шт:
1195 шт - склад
267 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
201 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.09 грн до 23.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4041000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5860+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 5860
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 218823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.15 грн
6000+2.89 грн
9000+2.48 грн
15000+2.31 грн
21000+2.30 грн
30000+2.19 грн
75000+2.14 грн
150000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2151000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3769+3.25 грн
6000+3.07 грн
9000+2.70 грн
24000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3769
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3668+3.33 грн
3808+3.21 грн
4274+2.86 грн
4298+2.74 грн
4323+2.53 грн
6000+2.41 грн
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3668
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2151000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.47 грн
6000+3.28 грн
9000+2.88 грн
24000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.56 грн
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3254+3.76 грн
6000+3.55 грн
12000+3.45 грн
27000+3.25 грн
51000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3254
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 157125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.20 грн
1500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 218823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.51 грн
39+8.10 грн
100+4.89 грн
500+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 157125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+18.37 грн
87+9.82 грн
143+5.93 грн
500+5.20 грн
1500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 9007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.47 грн
34+11.63 грн
53+7.50 грн
100+6.23 грн
250+4.98 грн
374+2.47 грн
1028+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : onsemi bss123lt1-d.pdf MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 104473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.22 грн
28+12.76 грн
100+6.94 грн
500+5.13 грн
1000+4.38 грн
3000+3.47 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+21.37 грн
69+10.24 грн
114+6.17 грн
500+5.30 грн
1000+4.64 грн
3000+3.03 грн
6000+2.87 грн
9000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9007 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.36 грн
21+14.50 грн
50+9.00 грн
100+7.48 грн
250+5.97 грн
374+2.96 грн
1028+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ONS bss123lt1-d.pdf Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=100V; Id=0,15A; Pdmax=0,25W; Rds=6 Ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G Виробник : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 452 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Код товару: 26603
Додати до обраних Обраний товар

ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
у наявності: 1115 шт
786 шт - склад
76 шт - РАДІОМАГ-Київ
72 шт - РАДІОМАГ-Львів
67 шт - РАДІОМАГ-Харків
82 шт - РАДІОМАГ-Одеса
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KX-3HT 8.0 MHz
Код товару: 27906
Додати до обраних Обраний товар

KX-3H.pdf
KX-3HT 8.0 MHz
Виробник: Geyer/Strong
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
у наявності: 2434 шт
1813 шт - склад
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
130 шт - РАДІОМАГ-Львів
142 шт - РАДІОМАГ-Харків
150 шт - РАДІОМАГ-Одеса
150 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.50 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1730
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,99 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 10675 шт
10502 шт - склад
173 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
100+0.15 грн
1000+0.12 грн
10000+0.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148
Код товару: 2413
Додати до обраних Обраний товар

LL4148-D.PDF ll4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf LL4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 27952 шт
18628 шт - склад
2079 шт - РАДІОМАГ-Київ
980 шт - РАДІОМАГ-Харків
1967 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4298 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 60000 шт
60000 шт - очікується 31.08.2025
Кількість Ціна
10+1.00 грн
20+0.50 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.