
BSS123LT1G ON
у наявності 1816 шт:
1324 шт - склад
281 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
201 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 3.00 грн |
10+ | 2.50 грн |
100+ | 2.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 1.97 грн до 22.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1029000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 93500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1029000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4068000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4068000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 167010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 13773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13773 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 93868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 166995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 115007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6440 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 452 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 168 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() |
на замовлення 7270 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
З цим товаром купують
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні) Код товару: 26603
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
у наявності: 1333 шт
992 шт - склад
81 шт - РАДІОМАГ-Київ
77 шт - РАДІОМАГ-Львів
67 шт - РАДІОМАГ-Харків
82 шт - РАДІОМАГ-Одеса
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
81 шт - РАДІОМАГ-Київ
77 шт - РАДІОМАГ-Львів
67 шт - РАДІОМАГ-Харків
82 шт - РАДІОМАГ-Одеса
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 5.00 грн |
10+ | 4.50 грн |
100+ | 4.10 грн |
1000+ | 3.70 грн |
KX-3HT 8.0 MHz Код товару: 27906
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Geyer/Strong
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується:
3000 шт
2000 шт - очікується
1000 шт - очікується
1000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 7.00 грн |
10+ | 6.30 грн |
100+ | 5.50 грн |
1000+ | 4.90 грн |
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1730
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,99 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,99 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 11673 шт
11500 шт - склад
173 шт - РАДІОМАГ-Київ
173 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |
LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 51586 шт
41521 шт - склад
2096 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
1540 шт - РАДІОМАГ-Харків
1977 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2096 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
1540 шт - РАДІОМАГ-Харків
1977 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.00 грн |
20+ | 0.50 грн |
100+ | 0.40 грн |
1000+ | 0.30 грн |
10000+ | 0.20 грн |