
BSS123LT1G ON

Код товару: 42430
Виробник: ONКорпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності 1648 шт:
1190 шт - склад
247 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
201 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 3.00 грн |
10+ | 2.50 грн |
100+ | 2.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.08 грн до 23.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4728000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4728000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1725000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1725000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 489000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 493999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 186447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V |
на замовлення 17897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 152300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17897 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS123LT1G |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 452 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні) Код товару: 26603
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
у наявності: 1109 шт
784 шт - склад
76 шт - РАДІОМАГ-Київ
68 шт - РАДІОМАГ-Львів
67 шт - РАДІОМАГ-Харків
82 шт - РАДІОМАГ-Одеса
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
76 шт - РАДІОМАГ-Київ
68 шт - РАДІОМАГ-Львів
67 шт - РАДІОМАГ-Харків
82 шт - РАДІОМАГ-Одеса
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 5.00 грн |
10+ | 4.50 грн |
100+ | 4.10 грн |
1000+ | 3.70 грн |
KX-3HT 8.0 MHz Код товару: 27906
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Geyer/Strong
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
у наявності: 1423 шт
844 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
128 шт - РАДІОМАГ-Львів
140 шт - РАДІОМАГ-Харків
150 шт - РАДІОМАГ-Одеса
125 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
128 шт - РАДІОМАГ-Львів
140 шт - РАДІОМАГ-Харків
150 шт - РАДІОМАГ-Одеса
125 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 7.00 грн |
10+ | 6.30 грн |
100+ | 5.50 грн |
1000+ | 4.90 грн |
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1730
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,99 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,99 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 8675 шт
3702 шт - склад
4973 шт - РАДІОМАГ-Київ
4973 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |
LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 71861 шт
60631 шт - склад
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
730 шт - РАДІОМАГ-Харків
1957 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
730 шт - РАДІОМАГ-Харків
1957 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 1.00 грн |
40+ | 0.50 грн |
100+ | 0.40 грн |
1000+ | 0.30 грн |
10000+ | 0.20 грн |