Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS123LT1G ON
BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

BSS123LT1-D.PDF
Код товару: 42430
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності: 1023 шт
  • 890 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 2.22 грн до 21.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS123LT1G BSS123LT1G ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 341760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.87 грн
6000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3624+3.91 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.16 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3410+4.16 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
6000+5.04 грн
12000+4.89 грн
27000+4.62 грн
51000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+6.46 грн
119+6.40 грн
121+6.27 грн
187+3.90 грн
250+3.54 грн
500+2.56 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.22 грн
500+5.62 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.74 грн
58+7.23 грн
79+5.30 грн
100+4.60 грн
250+3.79 грн
500+3.28 грн
1000+3.00 грн
3000+2.50 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+15.18 грн
100+9.43 грн
250+8.56 грн
500+6.20 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
934+15.18 грн
1450+9.78 грн
1478+9.59 грн
1961+6.97 грн
3093+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 342502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.74 грн
100+7.30 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 195766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.46 грн
100+6.77 грн
500+4.97 грн
1000+4.49 грн
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.58 грн
80+10.07 грн
100+8.22 грн
500+5.62 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
34+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G TBSS123_0124.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G TBSS123_0124.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 341760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.87 грн
6000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5883000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3624+3.91 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.16 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3410+4.16 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 2255231.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.66 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.28 грн
6000+5.04 грн
12000+4.89 грн
27000+4.62 грн
51000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
117+6.46 грн
119+6.40 грн
121+6.27 грн
187+3.90 грн
250+3.54 грн
500+2.56 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 3760328.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.22 грн
500+5.62 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G.PDF
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
42+10.74 грн
58+7.23 грн
79+5.30 грн
100+4.60 грн
250+3.79 грн
500+3.28 грн
1000+3.00 грн
3000+2.50 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+15.18 грн
100+9.43 грн
250+8.56 грн
500+6.20 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
934+15.18 грн
1450+9.78 грн
1478+9.59 грн
1961+6.97 грн
3093+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 342502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.19 грн
26+11.74 грн
100+7.30 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V 170mA N-Channel
на замовлення 195766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.78 грн
26+12.46 грн
100+6.77 грн
500+4.97 грн
1000+4.49 грн
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G 3760328.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 100709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+21.58 грн
80+10.07 грн
100+8.22 грн
500+5.62 грн
1500+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
34+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS84P
Код товару: 122858
Додати до обраних Обраний товар
BSS84P
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 0,17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 15/1
Монтаж: SMD
у наявності: 606 шт
  • 418 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
6+3.50 грн
10+2.80 грн
100+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Код товару: 105466
3 Додати до обраних Обраний товар
komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 20 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 20910 шт
  • 11310 шт - склад
  • 4300 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1300 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Код товару: 26603
1 Додати до обраних Обраний товар
ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JBC6) (полімерні)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін. напруга: 6,3 V
Серія: ERS-полімерні
Темп. діапазон: -55...+105°C
Габарити: 6,3x6 mm
Макс. пульсуючий струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41283
3 Додати до обраних Обраний товар
CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 47 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
Робочий струм, A: 3,25 A
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується 05.07.2026
КількістьЦіна
2+15.50 грн
10+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 42147
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 50289 шт
  • 47667 шт - склад
  • 2567 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
КількістьЦіна
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
10000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.