Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6327XTSA1
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS123NH6327XTSA1 за ціною від 2.64 грн до 26.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.22 грн
9000+ 3.67 грн
24000+ 3.55 грн
45000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.4 грн
9000+ 3.94 грн
24000+ 3.7 грн
45000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.42 грн
6000+ 4.07 грн
9000+ 3.52 грн
30000+ 3.24 грн
75000+ 2.68 грн
150000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.54 грн
9000+ 3.94 грн
24000+ 3.81 грн
45000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.74 грн
9000+ 4.25 грн
24000+ 3.99 грн
45000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 169960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.35 грн
500+ 5.78 грн
1500+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1364+8.54 грн
1596+ 7.3 грн
1684+ 6.92 грн
2000+ 6.24 грн
15000+ 4.98 грн
30000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 1364
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 169960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+19 грн
55+ 13.71 грн
100+ 8.35 грн
500+ 5.78 грн
1500+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 35696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+21.61 грн
25+ 14.39 грн
35+ 9.94 грн
100+ 5.46 грн
250+ 5.16 грн
279+ 2.87 грн
767+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 230780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.43 грн
17+ 16.54 грн
100+ 8.37 грн
500+ 6.4 грн
1000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+25.48 грн
37+ 15.72 грн
100+ 6.47 грн
250+ 5.93 грн
500+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35696 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+25.93 грн
15+ 17.93 грн
25+ 11.92 грн
100+ 6.55 грн
250+ 6.19 грн
279+ 3.45 грн
767+ 3.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS123N_DataSheet_v02_03_en-3360994.pdf MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 743781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.66 грн
20+ 16.04 грн
100+ 6.31 грн
1000+ 4.85 грн
3000+ 3.92 грн
9000+ 3.39 грн
24000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123NH6327XTSA1
Код товару: 198093 		Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній