Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6327XTSA1
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS123NH6327XTSA1 за ціною від 2.54 грн до 21.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3760+3.39 грн
6000+3.31 грн
9000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3760
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.64 грн
6000+3.55 грн
9000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.27 грн
6000+4.17 грн
9000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 43057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2965+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 2965
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.39 грн
6000+3.81 грн
9000+3.59 грн
15000+3.14 грн
21000+3.01 грн
30000+2.87 грн
75000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2632+4.85 грн
2713+4.70 грн
5000+4.58 грн
10000+4.31 грн
25000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 123067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.26 грн
1000+4.51 грн
7500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.95 грн
72+5.74 грн
76+5.41 грн
100+4.17 грн
250+3.74 грн
500+3.44 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1
Код товару: 198093
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.54 грн
43+7.15 грн
46+6.49 грн
100+5.00 грн
250+4.49 грн
500+4.12 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 123067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+12.28 грн
113+7.85 грн
250+6.26 грн
1000+4.51 грн
7500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS123N_DataSheet_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 66665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+13.41 грн
45+8.06 грн
100+5.59 грн
500+4.80 грн
3000+2.99 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+14.96 грн
77+9.51 грн
100+7.59 грн
3000+4.12 грн
6000+3.72 грн
9000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 143469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.29 грн
26+12.79 грн
100+8.00 грн
500+5.54 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.