Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6327XTSA1
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS123NH6327XTSA1 за ціною від 2.62 грн до 21.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 567000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.75 грн
6000+3.57 грн
9000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.66 грн
6000+4.03 грн
9000+3.80 грн
15000+3.33 грн
21000+3.18 грн
30000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2632+4.90 грн
2713+4.76 грн
5000+4.63 грн
10000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 114140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.61 грн
1000+5.32 грн
7500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18043 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.85 грн
53+8.06 грн
59+7.13 грн
100+5.08 грн
500+4.20 грн
1000+3.67 грн
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+11.04 грн
105+7.02 грн
133+5.55 грн
500+5.24 грн
3000+2.80 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS123N_DataSheet_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 133265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.49 грн
32+10.10 грн
100+6.41 грн
500+5.09 грн
1000+4.53 грн
3000+3.63 грн
6000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.96 грн
24+12.84 грн
100+8.00 грн
500+5.54 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 0.19A, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 114140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+13.67 грн
99+8.30 грн
250+6.61 грн
1000+5.32 грн
7500+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1
Код товару: 198093
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.