BSS123NH6327XTSA1


Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
Код товару: 198093
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 39 шт
  • 39 шт - очікується 24.08.2026
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123NH6327XTSA1 за ціною від 3.35 грн до 13.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.16 грн
6000+5.08 грн
9000+4.33 грн
24000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.16 грн
6000+5.08 грн
9000+4.33 грн
24000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 37346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.27 грн
100+9.73 грн
500+7.73 грн
1000+6.40 грн
3000+4.87 грн
6000+4.21 грн
9000+3.58 грн
24000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 37346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1062+13.29 грн
1448+9.75 грн
1823+7.74 грн
2122+6.41 грн
3000+4.88 грн
6000+4.22 грн
9000+3.59 грн
24000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 1062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 25671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 30606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.99 грн
45+9.59 грн
50+8.65 грн
100+5.88 грн
500+4.68 грн
1000+4.33 грн
3000+3.78 грн
6000+3.49 грн
9000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.16 грн
6000+5.08 грн
9000+4.33 грн
24000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.16 грн
6000+5.08 грн
9000+4.33 грн
24000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 37346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+13.27 грн
100+9.73 грн
500+7.73 грн
1000+6.40 грн
3000+4.87 грн
6000+4.21 грн
9000+3.58 грн
24000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 37346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1062+13.29 грн
1448+9.75 грн
1823+7.74 грн
2122+6.41 грн
3000+4.88 грн
6000+4.22 грн
9000+3.59 грн
24000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 1062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 25671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 30606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.99 грн
45+9.59 грн
50+8.65 грн
100+5.88 грн
500+4.68 грн
1000+4.33 грн
3000+3.78 грн
6000+3.49 грн
9000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.