Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6327XTSA1
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS123NH6327XTSA1 за ціною від 2.41 грн до 21.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3750+3.39 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3750
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.63 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.70 грн
6000+3.52 грн
9000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 41457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2965+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 2965
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.42 грн
6000+3.83 грн
9000+3.61 грн
15000+3.16 грн
21000+3.03 грн
30000+2.89 грн
75000+2.56 грн
150000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2632+4.83 грн
2713+4.68 грн
5000+4.56 грн
10000+4.29 грн
25000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 114140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.23 грн
1000+5.81 грн
7500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+8.00 грн
72+5.78 грн
76+5.45 грн
100+4.20 грн
250+3.77 грн
500+3.46 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1
Код товару: 198093
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7556 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.61 грн
43+7.20 грн
46+6.54 грн
100+5.03 грн
250+4.52 грн
500+4.15 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+12.95 грн
89+8.23 грн
112+6.51 грн
500+5.93 грн
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS123N_DataSheet_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 101501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+13.50 грн
45+8.11 грн
100+5.63 грн
500+4.84 грн
3000+3.01 грн
6000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.44 грн
26+12.88 грн
100+8.06 грн
500+5.58 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 0.19A, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 114140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+14.94 грн
99+9.07 грн
250+7.23 грн
1000+5.81 грн
7500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.