Інші пропозиції BSS123NH6433XTMA1 за ціною від 2.65 грн до 29.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 20220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4773 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 78195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 20220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 |
на замовлення 31286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.74 грн |
| 20000+ | 3.28 грн |
| 30000+ | 3.12 грн |
| 50000+ | 2.75 грн |
| 70000+ | 2.65 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.81 грн |
| 20000+ | 3.47 грн |
| 30000+ | 3.30 грн |
| 50000+ | 3.09 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.83 грн |
| 20000+ | 3.49 грн |
| 30000+ | 3.31 грн |
| 50000+ | 3.11 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.00 грн |
| 20000+ | 3.79 грн |
| 30000+ | 3.60 грн |
| 50000+ | 3.13 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.00 грн |
| 20000+ | 3.79 грн |
| 30000+ | 3.60 грн |
| 50000+ | 3.13 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1492+ | 9.49 грн |
| 1737+ | 8.15 грн |
| 2036+ | 6.95 грн |
| 2206+ | 6.18 грн |
| 5000+ | 4.96 грн |
| 10000+ | 4.06 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 20220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.69 грн |
| 250+ | 8.96 грн |
| 1000+ | 4.85 грн |
| 5000+ | 3.78 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 14.62 грн |
| 42+ | 10.27 грн |
| 60+ | 7.18 грн |
| 100+ | 6.08 грн |
| 250+ | 4.94 грн |
| 500+ | 4.33 грн |
| 1000+ | 4.00 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.41 грн |
| 25+ | 12.68 грн |
| 100+ | 7.91 грн |
| 500+ | 5.48 грн |
| 1000+ | 4.85 грн |
| 2000+ | 4.31 грн |
| 5000+ | 3.67 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 20220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 23.52 грн |
| 77+ | 10.69 грн |
| 250+ | 8.96 грн |
| 1000+ | 4.85 грн |
| 5000+ | 3.78 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 31286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.68 грн |
| 16+ | 20.51 грн |
| 100+ | 11.28 грн |
| 500+ | 7.12 грн |
| 1000+ | 6.20 грн |
| 2500+ | 5.43 грн |
| 5000+ | 4.58 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)







