Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6433XTMA1
BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.52 грн
20000+3.34 грн
30000+3.30 грн
50000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS123NH6433XTMA1 за ціною від 2.65 грн до 24.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.75 грн
20000+3.57 грн
30000+3.52 грн
50000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.75 грн
20000+3.28 грн
30000+3.12 грн
50000+2.76 грн
70000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.77 грн
250+7.79 грн
1000+4.97 грн
5000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DataSheet-v02_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 8523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.99 грн
26+12.59 грн
100+6.83 грн
500+5.09 грн
1000+4.04 грн
5000+3.49 грн
10000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.69 грн
60+7.05 грн
78+5.39 грн
100+4.80 грн
500+3.64 грн
1000+3.37 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.96 грн
24+12.69 грн
100+7.92 грн
500+5.49 грн
1000+4.85 грн
2000+4.32 грн
5000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.40 грн
64+12.77 грн
250+7.79 грн
1000+4.97 грн
5000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1
Код товару: 190235
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.