Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6433XTMA1
BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS123NH6433XTMA1 за ціною від 2.41 грн до 24.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23
на замовлення 1373999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.26 грн
20000+2.86 грн
30000+2.72 грн
50000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2852+4.27 грн
2936+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 2852
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2381+5.11 грн
2404+5.06 грн
2573+4.73 грн
10000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 2381
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.32 грн
250+6.95 грн
1000+5.00 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.32 грн
36+10.98 грн
49+8.04 грн
59+6.67 грн
100+5.62 грн
295+3.09 грн
809+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.79 грн
22+13.68 грн
29+9.65 грн
50+8.00 грн
100+6.75 грн
295+3.70 грн
809+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 151592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.48 грн
27+11.68 грн
100+6.11 грн
500+5.63 грн
1000+4.73 грн
2000+4.35 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.98 грн
63+13.32 грн
250+6.95 грн
1000+5.00 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies BSS123N_rev2.3-253511.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 48769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.68 грн
29+12.04 грн
100+5.94 грн
500+5.72 грн
1000+4.60 грн
5000+3.93 грн
10000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1
Код товару: 190235
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.