Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6433XTMA1
BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23
на замовлення 1373999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS123NH6433XTMA1 за ціною від 2.49 грн до 25.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.31 грн
20000+2.90 грн
30000+2.76 грн
50000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.01 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.20 грн
1340+9.11 грн
2000+6.82 грн
10000+6.01 грн
20000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Gate charge: 0.6nC
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.27 грн
28+14.27 грн
33+12.15 грн
51+7.78 грн
100+6.43 грн
294+3.13 грн
807+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies BSS123N_rev2.3-253511.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 37863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.66 грн
33+10.73 грн
100+5.57 грн
500+5.50 грн
1000+4.29 грн
5000+3.76 грн
10000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 151592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.80 грн
27+11.84 грн
100+6.19 грн
500+5.71 грн
1000+4.79 грн
2000+4.42 грн
5000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Gate charge: 0.6nC
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.32 грн
17+17.78 грн
20+14.59 грн
50+9.33 грн
100+7.72 грн
294+3.75 грн
807+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.00 грн
72+11.74 грн
250+7.01 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1
Код товару: 190235
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.