BSS123W RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 34+ | 8.98 грн |
| 100+ | 5.55 грн |
| 500+ | 3.81 грн |
| 1000+ | 3.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123W RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 298mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSS123W RFG за ціною від 2.93 грн до 16.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS123W RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 8325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|