Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > BSS123W RFG
BSS123W RFG

BSS123W RFG Taiwan Semiconductor

BSS123W_A2007.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+16.62 грн
36+10.23 грн
100+5.59 грн
500+4.09 грн
1000+3.62 грн
3000+3.15 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123W RFG Taiwan Semiconductor

Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 298mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSS123W RFG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123W RFG BSS123W RFG Виробник : Taiwan Semiconductor bss123w_a2007.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W RFG BSS123W RFG Виробник : Taiwan Semiconductor bss123w_a2007.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W RFG BSS123W RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation BSS123W_A2007.pdf Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W RFG BSS123W RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation BSS123W_A2007.pdf Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.