BSS123W RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123W RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 298mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSS123W RFG за ціною від 1.66 грн до 17.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS123W RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V |
на замовлення 3553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123W RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 3118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123W RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSS123W RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |