BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated


BSS123WQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 273000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.13 грн
6000+2.81 грн
9000+2.26 грн
15000+2.09 грн
21000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSS123WQ-7-F за ціною від 2.42 грн до 27.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : DIODES INC. 2814347.pdf Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.99 грн
1500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B376640B1AB8BF&compId=BSS123WQ.pdf?ci_sign=d7ec6cfc5b9ce37965f4bbd3a3f104d7f09c200d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.76 грн
27+14.53 грн
31+12.38 грн
50+7.95 грн
100+6.60 грн
265+3.40 грн
728+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Incorporated BSS123WQ.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 275035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
28+11.31 грн
100+4.73 грн
500+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Incorporated BSS123WQ-3213760.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
на замовлення 66034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.78 грн
26+13.34 грн
100+4.84 грн
1000+4.77 грн
3000+3.08 грн
6000+2.86 грн
9000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B376640B1AB8BF&compId=BSS123WQ.pdf?ci_sign=d7ec6cfc5b9ce37965f4bbd3a3f104d7f09c200d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.71 грн
16+18.10 грн
19+14.86 грн
50+9.54 грн
100+7.92 грн
265+4.08 грн
728+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : DIODES INC. 2814347.pdf Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.00 грн
50+18.36 грн
108+7.68 грн
500+5.99 грн
1500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Inc 923bss123wq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Zetex bss123wq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Zetex bss123wq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.