BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F DIODES INCORPORATED


BSS123WQ.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.04 грн
39+10.76 грн
62+6.74 грн
100+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123WQ-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS123WQ-7-F за ціною від 2.62 грн до 24.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED BSS123WQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.25 грн
24+13.41 грн
50+8.08 грн
100+6.36 грн
500+3.90 грн
1500+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Incorporated BSS123WQ.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.34 грн
28+13.16 грн
100+5.64 грн
500+4.69 грн
3000+3.26 грн
6000+2.78 грн
9000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : DIODES INC. 4553112.pdf Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+24.24 грн
62+14.53 грн
126+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : DIODES INC. 4553112.pdf Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Inc 923bss123wq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Zetex bss123wq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Incorporated BSS123WQ.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Виробник : Diodes Incorporated BSS123WQ.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.