Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS126H6327XTSA2
BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.33 грн
6000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS126H6327XTSA2 за ціною від 6.13 грн до 48.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.94 грн
6000+7.85 грн
9000+7.47 грн
15000+6.60 грн
21000+6.36 грн
30000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.95 грн
6000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
440+29.41 грн
500+27.68 грн
1000+18.89 грн
5000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 440
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.29 грн
15+28.11 грн
17+24.82 грн
100+15.04 грн
500+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
348+37.26 грн
500+29.41 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS126_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.82 грн
13+25.60 грн
100+14.41 грн
500+10.86 грн
1000+9.56 грн
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.54 грн
9+35.03 грн
10+29.78 грн
100+18.05 грн
500+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.55 грн
12+26.48 грн
100+16.90 грн
500+12.00 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS19225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - MOSFET, N-KANAL, 600V, 21MA, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.27 грн
27+29.95 грн
100+19.36 грн
500+13.61 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.