BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies


bss126_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304330f6860601310483af1.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS126H6327XTSA2 за ціною від 7.78 грн до 40.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.07 грн
6000+ 8.78 грн
9000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.75 грн
6000+ 9.44 грн
9000+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.26 грн
6000+ 9.38 грн
9000+ 8.71 грн
30000+ 7.98 грн
75000+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
806+14.46 грн
811+ 14.36 грн
876+ 13.3 грн
1000+ 12.45 грн
2000+ 11.43 грн
6000+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 806
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+19.75 грн
50+ 16.4 грн
64+ 12.59 грн
176+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS19225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.01 грн
500+ 15.22 грн
1000+ 9.13 грн
5000+ 8.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
543+21.45 грн
546+ 21.34 грн
671+ 17.37 грн
1000+ 15.72 грн
2000+ 14.38 грн
3000+ 13.06 грн
6000+ 12.31 грн
Мінімальне замовлення: 543
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+23.7 грн
50+ 20.44 грн
64+ 15.11 грн
176+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
на замовлення 120119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
12+ 25.05 грн
100+ 17.42 грн
500+ 12.76 грн
1000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS126_DS_v02_01_en-1731287.pdf MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 19610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
11+ 27.88 грн
100+ 16.87 грн
500+ 13.15 грн
1000+ 10.69 грн
3000+ 8.64 грн
9000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS19225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+40.46 грн
23+ 33.61 грн
100+ 21.01 грн
500+ 15.22 грн
1000+ 9.13 грн
5000+ 8.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній