Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS126H6327XTSA2
BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

bss126_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304330f6860601310483af1.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS126H6327XTSA2 за ціною від 6.16 грн до 49.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.33 грн
6000+7.08 грн
9000+6.46 грн
15000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.55 грн
6000+7.20 грн
9000+7.00 грн
15000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.90 грн
6000+7.62 грн
9000+6.95 грн
15000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS19225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.27 грн
500+14.07 грн
1000+10.44 грн
5000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
620+19.64 грн
803+15.17 грн
1000+13.55 грн
6000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 620
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
620+19.64 грн
803+15.17 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 620
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS126_DS_v02_01_en-1731287.pdf MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 8069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.62 грн
13+27.68 грн
100+18.05 грн
500+14.16 грн
1000+10.94 грн
3000+9.98 грн
9000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS19225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.45 грн
28+29.80 грн
100+19.27 грн
500+14.07 грн
1000+10.44 грн
5000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 700Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.16 грн
14+28.74 грн
16+24.54 грн
50+16.82 грн
65+13.91 грн
177+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 82989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
12+26.76 грн
100+17.27 грн
500+12.26 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 700Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.40 грн
8+35.82 грн
10+29.45 грн
50+20.18 грн
65+16.70 грн
177+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.