Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS126H6327XTSA2
BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.89 грн
6000+10.45 грн
9000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS126H6327XTSA2 за ціною від 6.41 грн до 52.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon_BSS126_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.17 грн
13+26.42 грн
100+14.87 грн
500+11.21 грн
1000+9.87 грн
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.86 грн
14+30.88 грн
16+26.64 грн
100+15.70 грн
500+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.38 грн
28+29.85 грн
100+19.16 грн
500+13.44 грн
1000+11.07 грн
5000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+31.08 грн
100+19.84 грн
500+14.08 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 Infineon_BSS126_DS_v02_01_en.pdf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.17 грн
13+26.42 грн
100+14.87 грн
500+11.21 грн
1000+9.87 грн
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+43.86 грн
14+30.88 грн
16+26.64 грн
100+15.70 грн
500+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+46.38 грн
28+29.85 грн
100+19.16 грн
500+13.44 грн
1000+11.07 грн
5000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba
BSS126H6327XTSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.33 грн
10+31.08 грн
100+19.84 грн
500+14.08 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.