BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.51 грн |
| 6000+ | 7.45 грн |
| 9000+ | 7.07 грн |
| 15000+ | 6.24 грн |
| 21000+ | 6.00 грн |
| 30000+ | 5.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS126H6327XTSA2 за ціною від 9.02 грн до 59.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 42172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 On-state resistance: 700Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2007 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 |
на замовлення 17141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm |
на замовлення 13964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm |
на замовлення 13964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.94 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.94 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.87 грн |
| 6000+ | 11.75 грн |
| 9000+ | 10.20 грн |
| 24000+ | 9.66 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.93 грн |
| 6000+ | 11.80 грн |
| 9000+ | 10.23 грн |
| 24000+ | 9.70 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 387+ | 36.66 грн |
| 620+ | 22.87 грн |
| 627+ | 22.64 грн |
| 835+ | 16.38 грн |
| 1000+ | 13.40 грн |
| 3000+ | 9.02 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 37.01 грн |
| 100+ | 23.30 грн |
| 500+ | 17.49 грн |
| 1000+ | 10.23 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 384+ | 37.01 грн |
| 609+ | 23.30 грн |
| 811+ | 17.49 грн |
| 1336+ | 10.23 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.06 грн |
| 14+ | 22.59 грн |
| 100+ | 14.39 грн |
| 500+ | 10.15 грн |
| 1000+ | 9.07 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 42.95 грн |
| 14+ | 30.25 грн |
| 16+ | 26.09 грн |
| 100+ | 15.37 грн |
| 500+ | 13.71 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 59.72 грн |
| 21+ | 36.84 грн |
| 25+ | 36.66 грн |
| 100+ | 22.05 грн |
| 250+ | 20.22 грн |
| 500+ | 14.56 грн |
| 1000+ | 12.86 грн |
| 3000+ | 9.02 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 17141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
на замовлення 13964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
на замовлення 13964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






