BSS126IXTSA1

BSS126IXTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS126IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS126IXTSA1 за ціною від 3.09 грн до 29.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.55 грн
6000+4.38 грн
9000+3.56 грн
24000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.88 грн
6000+4.69 грн
9000+3.82 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5965+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 5965
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.61 грн
6000+7.02 грн
9000+5.96 грн
24000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : INFINEON 3159552.pdf Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.44 грн
500+6.95 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1454+8.90 грн
1638+7.90 грн
1899+6.81 грн
3000+5.90 грн
6000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 1454
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
794+16.30 грн
1146+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 794
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1 Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.28 грн
23+13.09 грн
100+8.21 грн
500+5.71 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS126I_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.26 грн
23+13.82 грн
100+6.49 грн
500+5.74 грн
1000+4.92 грн
3000+4.51 грн
6000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : INFINEON 3159552.pdf Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+25.97 грн
51+15.69 грн
100+8.44 грн
500+6.95 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+29.53 грн
45+16.79 грн
100+9.54 грн
500+8.16 грн
1000+6.52 грн
3000+5.62 грн
6000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.