Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS126IXTSA1
BSS126IXTSA1

BSS126IXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS126IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS126IXTSA1 за ціною від 4.51 грн до 29.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS126I_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.01 грн
23+14.27 грн
100+6.70 грн
500+5.92 грн
1000+5.07 грн
3000+4.65 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 INFINEON Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1 Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.49 грн
53+15.54 грн
100+9.79 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1 Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.34 грн
18+17.03 грн
100+10.66 грн
500+7.41 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 Infineon_BSS126I_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSS126IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.01 грн
23+14.27 грн
100+6.70 грн
500+5.92 грн
1000+5.07 грн
3000+4.65 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1
BSS126IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+25.49 грн
53+15.54 грн
100+9.79 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1
BSS126IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.34 грн
18+17.03 грн
100+10.66 грн
500+7.41 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.