BSS126IXTSA1

BSS126IXTSA1 Infineon Technologies


infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS126IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS126IXTSA1 за ціною від 2.82 грн до 26.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4336+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4336
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3132+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3132
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1402+8.72 грн
1601+7.64 грн
1613+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : INFINEON 3159552.pdf Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.15 грн
109+7.73 грн
500+7.03 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1 Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.01 грн
21+14.84 грн
100+7.09 грн
500+6.55 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : INFINEON 3159552.pdf Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.27 грн
52+16.15 грн
109+7.73 грн
500+7.03 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS126I_DataSheet_v02_02_EN-3361069.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 8319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.63 грн
22+15.70 грн
100+6.64 грн
500+6.42 грн
1000+6.27 грн
3000+6.12 грн
6000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss126i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 BSS126IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1 Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.