Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS127H6327XTSA2
BSS127H6327XTSA2

BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies

infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS127H6327XTSA2 за ціною від 6.25 грн до 40.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 Infineon info-tbss127.pdf N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
705+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.15 грн
23+19.17 грн
50+13.57 грн
100+11.71 грн
500+8.31 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.05 грн
50+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 info-tbss127.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: Infineon
N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
705+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+30.15 грн
23+19.17 грн
50+13.57 грн
100+11.71 грн
500+8.31 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+40.05 грн
50+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.