
BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS127H6327XTSA2 за ціною від 3.79 грн до 30.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A On-state resistance: 500Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 46592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A On-state resistance: 500Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 38581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5935 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |