Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS127H6327XTSA2
BSS127H6327XTSA2

BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies

infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.37 грн
6000+5.31 грн
9000+5.25 грн
15000+5.02 грн
21000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm.

Інші пропозиції BSS127H6327XTSA2 за ціною від 4.60 грн до 29.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.37 грн
6000+5.31 грн
9000+5.25 грн
15000+5.02 грн
21000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 Infineon info-tbss127.pdf N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1814+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 1814 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.27 грн
23+18.61 грн
50+13.18 грн
100+11.37 грн
500+8.07 грн
1000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON 1849731.html Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON 1849731.html Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.37 грн
6000+5.31 грн
9000+5.25 грн
15000+5.02 грн
21000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 info-tbss127.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: Infineon
N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1814+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 1814 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.27 грн
23+18.61 грн
50+13.18 грн
100+11.37 грн
500+8.07 грн
1000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb
BSS127H6327XTSA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 1849731.html
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 1849731.html
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.