Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS127IXTSA1
BSS127IXTSA1

BSS127IXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.96 грн
6000+4.30 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS127IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS127IXTSA1 за ціною від 4.46 грн до 26.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 56650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6356+5.56 грн
10000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 6356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6356+5.56 грн
10000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 6356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 INFINEON Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.54 грн
500+6.57 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
754+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 754 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.79 грн
22+13.90 грн
100+8.71 грн
500+6.05 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 INFINEON 3208405.pdf Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.07 грн
58+14.23 грн
111+7.42 грн
500+6.81 грн
1000+5.55 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 infineonbss127idatasheetv0201en.pdf
BSS127IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 56650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6356+5.56 грн
10000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 6356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 infineonbss127idatasheetv0201en.pdf
BSS127IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6356+5.56 грн
10000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 6356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49
BSS127IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.54 грн
500+6.57 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 infineonbss127idatasheetv0201en.pdf
BSS127IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
754+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 754 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49
BSS127IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.79 грн
22+13.90 грн
100+8.71 грн
500+6.05 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 3208405.pdf
BSS127IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+26.07 грн
58+14.23 грн
111+7.42 грн
500+6.81 грн
1000+5.55 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.