BSS127IXTSA1

BSS127IXTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS127IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS127IXTSA1 за ціною від 3.50 грн до 27.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6356+4.85 грн
10000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 6356
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 56650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6356+4.85 грн
10000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 6356
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.05 грн
9000+4.26 грн
24000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.41 грн
9000+4.58 грн
24000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : INFINEON 3208405.pdf Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.06 грн
1000+5.75 грн
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.02 грн
26+12.51 грн
100+6.52 грн
500+5.91 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 14491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.18 грн
26+13.55 грн
100+6.16 грн
500+6.08 грн
1000+5.40 грн
3000+4.33 грн
9000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : INFINEON 3208405.pdf Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.03 грн
58+14.75 грн
111+7.69 грн
500+7.06 грн
1000+5.75 грн
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 310Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss127i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.