BSS127SSN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.62 грн |
| 6000+ | 6.29 грн |
| 9000+ | 6.22 грн |
| 15000+ | 5.78 грн |
| 21000+ | 5.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS127SSN-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSS127SSN-7 за ціною від 5.51 грн до 37.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS127SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS127SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS127SSN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS127SSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V |
на замовлення 29954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS127SSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K |
на замовлення 3813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS127SSN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS127SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSS127SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSS127SSN-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSS127SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSS127SSN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SC59 Polarisation: unipolar Gate charge: 1.08nC Drain current: 40mA Pulsed drain current: 0.16A Power dissipation: 0.61W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190Ω Drain-source voltage: 600V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSS127SSN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SC59 Polarisation: unipolar Gate charge: 1.08nC Drain current: 40mA Pulsed drain current: 0.16A Power dissipation: 0.61W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190Ω Drain-source voltage: 600V Kind of package: 7 inch reel; tape |
товару немає в наявності |