BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.60 грн |
| 6000+ | 5.74 грн |
| 9000+ | 5.43 грн |
| 15000+ | 4.76 грн |
| 21000+ | 4.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm.
Інші пропозиції BSS131H6327XTSA1 за ціною від 4.54 грн до 32.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm |
на замовлення 27730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 31589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 20047 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm |
на замовлення 27730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1007+ | 14.06 грн |
| 1055+ | 13.42 грн |
| 1328+ | 10.65 грн |
| 1667+ | 8.18 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 27730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.79 грн |
| 250+ | 12.75 грн |
| 1000+ | 7.71 грн |
| 5000+ | 5.94 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 31589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 825+ | 17.16 грн |
| 1110+ | 12.75 грн |
| 1250+ | 11.31 грн |
| 3000+ | 9.16 грн |
| 6000+ | 7.66 грн |
| 9000+ | 6.95 грн |
| 15000+ | 6.50 грн |
| 21000+ | 6.23 грн |
| 30000+ | 5.97 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 19.19 грн |
| 33+ | 12.98 грн |
| 43+ | 10.01 грн |
| 52+ | 8.21 грн |
| 100+ | 6.81 грн |
| 250+ | 5.59 грн |
| 500+ | 4.92 грн |
| 1000+ | 4.54 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.55 грн |
| 20+ | 16.78 грн |
| 100+ | 9.23 грн |
| 500+ | 6.84 грн |
| 1000+ | 6.06 грн |
| 3000+ | 5.00 грн |
| 6000+ | 4.58 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 30.79 грн |
| 34+ | 22.29 грн |
| 37+ | 20.48 грн |
| 100+ | 13.56 грн |
| 250+ | 11.98 грн |
| 500+ | 9.13 грн |
| 1000+ | 7.27 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.92 грн |
| 17+ | 18.33 грн |
| 100+ | 11.49 грн |
| 500+ | 8.01 грн |
| 1000+ | 7.11 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 27730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 32.48 грн |
| 53+ | 15.79 грн |
| 250+ | 12.75 грн |
| 1000+ | 7.71 грн |
| 5000+ | 5.94 грн |






