BSS131IXUSA1

BSS131IXUSA1 Infineon Technologies


448_BSS131I.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: BSS131IXUSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS131IXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS131IXUSA1 за ціною від 3.86 грн до 28.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141 Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.38 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss131idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1647+7.48 грн
1759+7.01 грн
1974+6.24 грн
2420+4.91 грн
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 1647
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141 Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+8.87 грн
121+7.05 грн
123+6.97 грн
500+6.38 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss131idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+20.70 грн
61+11.69 грн
71+10.04 грн
100+7.73 грн
250+6.70 грн
500+5.73 грн
1000+4.68 грн
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies 448_BSS131I.pdf Description: BSS131IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.02 грн
24+13.70 грн
100+8.59 грн
500+5.97 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS131I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs Small-Signal Power-Transistor
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.20 грн
17+20.63 грн
100+10.18 грн
500+6.84 грн
1000+5.40 грн
3000+4.71 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbss131idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.