BSS131IXUSA1 Infineon Technologies


infineonbss131idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.84 грн
6000+5.28 грн
9000+4.64 грн
24000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS131IXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 440mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm.

Інші пропозиції BSS131IXUSA1 за ціною від 3.43 грн до 30.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss131idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
9000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss131idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+11.13 грн
1296+11.02 грн
1857+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss131idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.45 грн
44+17.68 грн
58+13.29 грн
100+10.73 грн
250+9.84 грн
500+6.59 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 Infineon Technologies 448_BSS131I.pdf Description: BSS131IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.92 грн
17+18.54 грн
50+13.37 грн
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141 Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141 Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 440mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 infineonbss131idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.68 грн
9000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 infineonbss131idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1283+11.13 грн
1296+11.02 грн
1857+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 infineonbss131idatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.45 грн
44+17.68 грн
58+13.29 грн
100+10.73 грн
250+9.84 грн
500+6.59 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 448_BSS131I.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSS131IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+30.92 грн
17+18.54 грн
50+13.37 грн
100+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 440mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.