BSS138 RFG

BSS138 RFG Taiwan Semiconductor Corporation


BSS138_A2007.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.97 грн
6000+4.32 грн
9000+4.07 грн
15000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V, Power Dissipation (Max): 357mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS138 RFG за ціною від 3.59 грн до 28.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS138 RFG BSS138 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation BSS138_A2007.pdf Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 18782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.30 грн
24+13.96 грн
100+8.74 грн
500+6.07 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 RFG BSS138 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor BSS138_A2007.pdf MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.86 грн
18+20.83 грн
100+10.29 грн
500+6.94 грн
1000+5.51 грн
3000+4.71 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor bss138_a2007.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 RFG BSS138 RFG Виробник : Taiwan Semiconductor bss138_a2007.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.