
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.55 грн |
18000+ | 5.07 грн |
27000+ | 4.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138-G Comchip Technology
Description: FET 50V 3.5 OHM SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSS138-G за ціною від 3.48 грн до 29.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138-G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138-G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V |
на замовлення 48646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 43568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138-G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1210405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.7nC |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS138-G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|