Продукція > NEXPERIA USA INC. > BSS138AKQB-QZ
BSS138AKQB-QZ

BSS138AKQB-QZ Nexperia USA Inc.

BSS138AKQB-Q.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.99 грн
16+19.59 грн
50+14.13 грн
100+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138AKQB-QZ Nexperia USA Inc.

Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V.

Інші пропозиції BSS138AKQB-QZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS138AKQB-QZ BSS138AKQB-QZ Nexperia USA Inc. BSS138AKQB-Q.pdf Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138AKQB-QZ BSS138AKQB-QZ Nexperia BSS138AKQB-Q.pdf MOSFETs BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138AKQB-QZ BSS138AKQB-Q.pdf
BSS138AKQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138AKQB-QZ BSS138AKQB-Q.pdf
BSS138AKQB-QZ
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.