на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 27.20 грн |
| 22+ | 16.39 грн |
| 50+ | 12.47 грн |
| 100+ | 8.91 грн |
| 200+ | 8.83 грн |
| 500+ | 7.98 грн |
| 1000+ | 7.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138AKRA-QZ Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1412-6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS138AKRA-QZ за ціною від 9.48 грн до 27.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS138AKRA-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSS138AKRA-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |