Продукція > NEXPERIA > BSS138BKS,115
BSS138BKS,115

BSS138BKS,115 Nexperia


2119246791690726bss138bks.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 23908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3857+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3857
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138BKS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS138BKS,115 за ціною від 3.68 грн до 33.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS138BKS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.43 грн
6000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia 2119246791690726bss138bks.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.12 грн
6000+4.86 грн
9000+4.81 грн
15000+4.59 грн
21000+4.21 грн
30000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia 2119246791690726bss138bks.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
6000+5.20 грн
9000+5.15 грн
15000+4.91 грн
21000+4.51 грн
30000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia 2119246791690726bss138bks.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
876+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 876
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.96 грн
500+8.86 грн
1500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS138BKS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.23 грн
25+12.49 грн
100+7.81 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia BSS138BKS.pdf MOSFETs BSS138BKS/SOT363/SC-88
на замовлення 696182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.78 грн
19+17.36 грн
100+9.43 грн
500+7.06 грн
1000+6.22 грн
3000+5.38 грн
6000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.67 грн
50+20.46 грн
100+12.96 грн
500+8.86 грн
1500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia 2119246791690726bss138bks.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia 2119246791690726bss138bks.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 Виробник : Nexperia BSS138BKS.pdf MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Виробник : NEXPERIA BSS138BKS.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.