
BSS138BKT116 ROHM

Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 13.04 грн |
500+ | 7.99 грн |
1500+ | 6.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138BKT116 ROHM
Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS138BKT116 за ціною від 4.86 грн до 32.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138BKT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V |
на замовлення 2204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |