BSS138BKT116

BSS138BKT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSS138BK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.95 грн
6000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138BKT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS138BKT116 за ціною від 5.80 грн до 33.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS138BKT116 BSS138BKT116 Виробник : ROHM bss138bkt116-e.pdf Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.80 грн
500+8.72 грн
1500+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKT116 BSS138BKT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS138BK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
на замовлення 8460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
19+16.97 грн
100+10.80 грн
500+6.66 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKT116 BSS138BKT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS138BK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOT23 N CHAN 60V
на замовлення 14096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.39 грн
17+20.68 грн
100+11.45 грн
500+8.00 грн
1000+6.90 грн
3000+6.09 грн
6000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKT116 BSS138BKT116 Виробник : ROHM bss138bkt116-e.pdf Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.76 грн
50+20.66 грн
100+9.80 грн
500+8.72 грн
1500+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKT116 BSS138BKT116 Виробник : Rohm Semiconductor bss138bkt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKT116 BSS138BKT116 Виробник : Rohm Semiconductor bss138bkt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.