Продукція > NXP > BSS138BKW,115
BSS138BKW,115

BSS138BKW,115 NXP


TBSS138bkw_NXP_0001.pdf
Виробник: NXP
Transistor N-MOSFET; 60V; -/+20V; 1,6Ohm; 320mA; 260mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS138BKW,115; BSS138BKW NXP TBSS138bkw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2790 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138BKW,115 NXP

Description: NEXPERIA - BSS138BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS138BKW,115 за ціною від 4.34 грн до 26.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : Nexperia 2261313783501969bss138bkw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4710+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 4710
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.04 грн
500+6.89 грн
1500+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : Nexperia 2261313783501969bss138bkw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
948+14.69 грн
1520+9.16 грн
2055+6.78 грн
2355+5.70 грн
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.15 грн
51+16.03 грн
100+10.04 грн
500+6.89 грн
1500+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : Nexperia 2261313783501969bss138bkw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS138BKW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSS138BKW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : Nexperia BSS138BKW.pdf MOSFETs BSS138BKW/SOT323/SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Виробник : NEXPERIA BSS138BKW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.