
BSS138BKW,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSS138BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 3.30 грн |
9000+ | 2.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138BKW,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V, Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS138BKW,115 за ціною від 2.43 грн до 22.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 134000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 24248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 24248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 24248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 64211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.7nC |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 134851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 289846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSS138BKW,115 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |