BSS138BWAHZGT106

BSS138BWAHZGT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSS138BWAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138BWAHZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.49 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS138BWAHZGT106 за ціною від 5.89 грн до 31.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bss138bwahzgt106-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
615+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 615
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS138BWAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.15 грн
18+17.86 грн
100+8.65 грн
500+7.74 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS138BWAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.34 грн
18+20.24 грн
100+8.80 грн
500+8.65 грн
1000+7.35 грн
3000+6.12 грн
6000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Виробник : ROHM bss138bwahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.49 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Виробник : ROHM bss138bwahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.49 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bss138bwahzgt106-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.