на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138DW-7-F Diodes Inc
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSS138DW-7-F за ціною від 3.27 грн до 42.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 30904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 99478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT363 Mounting: SMD Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 50V |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT363 Mounting: SMD Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 383 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 50V 200mW |
на замовлення 176679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 66162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 99478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BSS138DW-7-F | Виробник : DIODES/ZETEX |
2N-MOSFET 50V 200mA 3.5Ω 200mW BSS138DW-7-F Diodes TBSS138dwкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |





