BSS138DWQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.89 грн |
| 500+ | 8.17 грн |
| 1000+ | 6.04 грн |
| 5000+ | 5.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138DWQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 200mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS138DWQ-13 за ціною від 4.89 грн до 32.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs BSS Family |
на замовлення 70039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DWQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BSS138DWQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSS138DWQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Application: automotive industry |
товару немає в наявності |


