Інші пропозиції BSS138DWQ-7 за ціною від 18.86 грн до 31.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS138DWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSS138DWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
BSS138DWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
BSS138DWQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
| BSS138DWQ-7 | Виробник : Diodes |
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
BSS138DWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
BSS138DWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs BSS Family |
товару немає в наявності |
|||||||
| BSS138DWQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; 200mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |