Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS138IXTSA1
BSS138IXTSA1

BSS138IXTSA1 Infineon Technologies

infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8747+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 8747 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.

Інші пропозиції BSS138IXTSA1 за ціною від 3.10 грн до 22.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3356+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
6000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.23 грн
9000+3.66 грн
15000+3.48 грн
21000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
6000+4.26 грн
9000+3.68 грн
15000+3.50 грн
21000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON 3208406.pdf Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.28 грн
110+7.50 грн
500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1230+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 1230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1179+12.00 грн
1605+8.82 грн
1816+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 1179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS138I_DataSheet_v02_01_EN-2237768.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 75643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.88 грн
40+8.19 грн
100+4.58 грн
500+4.37 грн
1000+3.95 грн
3000+3.59 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.27 грн
72+5.94 грн
100+4.60 грн
500+3.88 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON 3208406.pdf Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.82 грн
80+10.28 грн
110+7.50 грн
500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
24+12.98 грн
100+8.10 грн
500+5.58 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3356+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.54 грн
6000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.74 грн
6000+4.23 грн
9000+3.66 грн
15000+3.48 грн
21000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.77 грн
6000+4.26 грн
9000+3.68 грн
15000+3.50 грн
21000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 3208406.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.28 грн
110+7.50 грн
500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1230+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 1230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1179+12.00 грн
1605+8.82 грн
1816+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 1179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon_BSS138I_DataSheet_v02_01_EN-2237768.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 75643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.88 грн
40+8.19 грн
100+4.58 грн
500+4.37 грн
1000+3.95 грн
3000+3.59 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+18.27 грн
72+5.94 грн
100+4.60 грн
500+3.88 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 3208406.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
42+19.82 грн
80+10.28 грн
110+7.50 грн
500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.20 грн
24+12.98 грн
100+8.10 грн
500+5.58 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.