Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS138IXTSA1
BSS138IXTSA1

BSS138IXTSA1 Infineon Technologies

infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8747+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 8747 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8747 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.

Інші пропозиції BSS138IXTSA1 за ціною від 2.57 грн до 20.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3356+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
6000+4.25 грн
9000+3.67 грн
15000+3.51 грн
21000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.79 грн
6000+4.27 грн
9000+3.69 грн
15000+3.51 грн
21000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1230+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 1230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+14.62 грн
1550+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.70 грн
64+6.49 грн
100+5.08 грн
347+2.72 грн
953+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.83 грн
25+12.11 грн
50+8.63 грн
100+7.05 грн
500+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS138I_DataSheet_v02_01_EN-2237768.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 75643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON 3208406.pdf Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON 3208406.pdf Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3356+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.76 грн
6000+4.25 грн
9000+3.67 грн
15000+3.51 грн
21000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.79 грн
6000+4.27 грн
9000+3.69 грн
15000+3.51 грн
21000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1230+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 1230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
975+14.62 грн
1550+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.70 грн
64+6.49 грн
100+5.08 грн
347+2.72 грн
953+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
25+12.11 грн
50+8.63 грн
100+7.05 грн
500+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon_BSS138I_DataSheet_v02_01_EN-2237768.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 75643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 3208406.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 3208406.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 infineonbss138idatasheetv0202en.pdf
BSS138IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1667 шт
В кошику  од. на суму  грн.