Інші пропозиції BSS138L (SOT-23, ON Semiconductor) за ціною від 2.10 грн до 21.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS138L | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS138L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS138L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7540 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS138L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS138L | Виробник : onsemi |
MOSFETs FET 50V 35 OHM SOT23 |
на замовлення 612968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |