на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS138LT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.75V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSS138LT3G за ціною від 2.58 грн до 20.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS138LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS138LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 11502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11502 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS138LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138LT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.75V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 73246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS138LT3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSS138LT3G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 50V 200mA N-Channel |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSS138LT3G | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSS138LT3G Код товару: 211590
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
BSS138LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |