BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies
на замовлення 785000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSS138NH6327XTSA2 за ціною від 2.31 грн до 27.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V |
на замовлення 95398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 783000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 783000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 964246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 964246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7332 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V |
на замовлення 95398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 |
на замовлення 232316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-Ch 60V 0.23A Automotive |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 Код товару: 160339 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|