
BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies
на замовлення 287000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSS138NH6327XTSA2 за ціною від 2.16 грн до 22.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 813000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 813000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 178240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 873000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 789000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 51099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 942019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 179069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 942019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ |
на замовлення 8464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 Код товару: 160339
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 148311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |