Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS138NH6327XTSA2
BSS138NH6327XTSA2

BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.07 грн
6000+3.52 грн
9000+3.32 грн
15000+2.90 грн
21000+2.77 грн
30000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS138NH6327XTSA2 за ціною від 2.44 грн до 26.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 333676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.45 грн
1000+4.91 грн
9000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS138NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.38 грн
40+10.82 грн
58+7.32 грн
100+6.09 грн
500+4.06 грн
1000+3.59 грн
3000+3.03 грн
6000+2.77 грн
9000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 313648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.16 грн
28+10.88 грн
100+6.78 грн
500+4.68 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS138N_DS_v02_86_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
на замовлення 37561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.00 грн
30+10.90 грн
100+6.18 грн
500+4.63 грн
1000+4.07 грн
3000+3.23 грн
6000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies bss138n_rev2.86_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
703+21.92 грн
15000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 703
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 Виробник : Infineon Technologies bss138n_rev2.86_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+26.00 грн
47+15.99 грн
48+15.58 грн
52+13.83 грн
100+8.28 грн
250+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 Виробник : INFINEON INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.23A, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 333676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.49 грн
71+11.55 грн
250+5.45 грн
1000+4.91 грн
9000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2
Код товару: 160339
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.