на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138PS,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS138PS,115 за ціною від 3.08 грн до 52.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS138PS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138PS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 18973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 547 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138PS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 52466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138PS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT363 2NCH 60V .32A |
на замовлення 98202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138PS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 18973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|