BSS138PW,115 Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5416+ | 2.62 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5416 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138PW,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 830mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції BSS138PW,115 за ціною від 2.08 грн до 97.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS138PW,115 | NXP |
 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pwкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138PW,115 | NXP |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138PW,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2988000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138PW,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2988000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138PW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.26W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 325885 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138PW,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138PW.115 | NXP | BSS138PW.115 BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60 V 320 mA SC-70, SOT-323 Транзистори |
на замовлення 8 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138PW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 20109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSS138PW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 20109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS138PW,115 |
|
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.75 грн |
| BSS138PW,115 |
|
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.75 грн |
| BSS138PW,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2988000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3779+ | 3.75 грн |
| BSS138PW,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2988000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.76 грн |
| BSS138PW,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 325885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 12.53 грн |
| 53+ | 7.89 грн |
| 67+ | 6.28 грн |
| 80+ | 5.24 грн |
| 100+ | 4.36 грн |
| 500+ | 2.78 грн |
| 1000+ | 2.29 грн |
| 1500+ | 2.08 грн |
| BSS138PW,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 18.99 грн |
| BSS138PW.115 |
Виробник: NXP
BSS138PW.115 BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60 V 320 mA SC-70, SOT-323 Транзистори
BSS138PW.115 BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60 V 320 mA SC-70, SOT-323 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.50 грн |
| BSS138PW,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 20109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS138PW,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 20109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)