BSS138W-7-F DIODES/ZETEX
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 50V 200mA 3.5mΩ 200mW BSS138W-7-F Diodes TBSS138w DIO
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138W-7-F DIODES/ZETEX
Description: DIODES INC. - BSS138W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSS138W-7-F за ціною від 2.51 грн до 156.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS138W-7-F | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 50V 200mA 3.5mΩ 200mW BSS138W-7-F Diodes TBSS138w DIO кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS138W-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS138W-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS138W-7-F | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS138W-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-323-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS138W-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS138W-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 50V 200mW |
на замовлення 4406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS138W-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSS138W-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BSS138W-7-F | Виробник : Diodes |
Транзистор N-MOSFET, полевой, 50В, 0,2А, 0,2Вт, SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS138W7F | Виробник : DIODES |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS138W-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSS138W-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSS138W-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |