
BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.00 грн |
6000+ | 1.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS138WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS138WH6327XTSA1 за ціною від 1.96 грн до 17.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 684000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 684000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 89770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 119893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 547305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 89770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BSS138WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1934 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|