BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies


bss138wrev2.43.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS138WH6433XTMA1 за ціною від 4.02 грн до 24.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.67 грн
20000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.63 грн
21+14.16 грн
100+8.86 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
2000+4.86 грн
5000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BSS138W.pdf MOSFETs N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON INFNS17556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON INFNS17556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 bss138wrev2.43.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.67 грн
20000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.63 грн
21+14.16 грн
100+8.86 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
2000+4.86 грн
5000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon_BSS138W.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 INFNS17556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 INFNS17556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.