BSS138WH6433XTMA1

BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies


bss138wrev2.43.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS138WH6433XTMA1 за ціною від 2.37 грн до 17.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.75 грн
20000+2.44 грн
30000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS17556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.30 грн
1000+3.97 грн
5000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1163+10.47 грн
1552+7.85 грн
2000+6.46 грн
10000+5.70 грн
20000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 1163
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.91 грн
34+9.07 грн
100+5.63 грн
500+5.23 грн
1000+4.40 грн
2000+4.12 грн
5000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS17556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.01 грн
79+10.42 грн
127+6.43 грн
500+5.30 грн
1000+3.97 грн
5000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS138W-1168422.pdf MOSFETs N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
на замовлення 83358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.69 грн
33+10.18 грн
100+5.73 грн
500+5.52 грн
1000+4.50 грн
2500+4.43 грн
5000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.