BSS138WT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2131+ | 5.62 грн |
| 2333+ | 5.13 грн |
| 2728+ | 4.39 грн |
| 2880+ | 4.01 грн |
| 3000+ | 3.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138WT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BSS138WT106 за ціною від 4.21 грн до 40.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS138WT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138WT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138WT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS138WT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 60V 310mA, SOT-323, Small Signal MOSFET |
на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138WT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS138WT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
товар відсутній |