Інші пропозиції BSS139H6327XTSA1 за ціною від 7.49 грн до 56.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 30Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Kind of channel: depletion |
на замовлення 7507 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 178402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3 |
на замовлення 38385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 178402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 148120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| PTS810SJK250SMTR LFS Код товару: 219475
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1A Код товару: 85022
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 15 шт
15 шт - склад
| MBR230LSFT1G Код товару: 138011
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 5.00 грн |
| 217182-0001 Код товару: 188053
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ALT3232M-151-T001 Код товару: 195315
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






