Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS139H6327XTSA1
BSS139H6327XTSA1

BSS139H6327XTSA1

Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
Код товару: 185807
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 0,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 30 Ом
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+13.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS139H6327XTSA1 за ціною від 9.70 грн до 43.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
21+20.44 грн
100+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+25.65 грн
50+18.59 грн
100+15.31 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 158792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 158792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 info-tbss139.pdf
BSS139H6327XTSA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 info-tbss139.pdf
BSS139H6327XTSA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
21+20.44 грн
100+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.49 грн
12+25.65 грн
50+18.59 грн
100+15.31 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 158792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 158792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PTS810SJK250SMTR LFS
Код товару: 219475
Додати до обраних Обраний товар
littelfuse-c-k-tactile-pts810-series-datasheet?assetguid=f1e4bc97-66e9-4beb-99c6-eaef0bd3bff4
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A
Код товару: 85022
Додати до обраних Обраний товар
ES1D-D.PDF
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
у наявності: 15 шт
  • 15 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
MBR230LSFT1G
Код товару: 138011
Додати до обраних Обраний товар
mbr230lsft1-d.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+5.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
217182-0001
Код товару: 188053
Додати до обраних Обраний товар
2171820001?display=pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ALT3232M-151-T001
Код товару: 195315
Додати до обраних Обраний товар
trans_alt_en.pdf
Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Трансформатори інші
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.