BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 39635 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.95 грн
10+63.83 грн
100+36.57 грн
500+28.74 грн
1000+24.57 грн
3000+22.23 грн
6000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5, Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSS139H6906XTSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.