BSS139IXTSA1

BSS139IXTSA1 Infineon Technologies


infineon-bss139i-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS139IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSS139IXTSA1 за ціною від 4.34 грн до 31.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss139i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.58 грн
6000+5.10 грн
9000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.83 грн
6000+5.19 грн
9000+4.77 грн
15000+4.35 грн
21000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss139i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.95 грн
6000+5.44 грн
9000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 36349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.83 грн
19+16.63 грн
100+8.47 грн
500+7.91 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss139i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
402+30.35 грн
656+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS139I_DataSheet_v02_01_EN-2237815.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 8952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.41 грн
19+18.53 грн
100+7.98 грн
1000+7.11 грн
3000+5.37 грн
9000+4.57 грн
24000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss139i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 14.0 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss139i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss139i-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : INFINEON 3208407.pdf Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Виробник : INFINEON 3208407.pdf Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.