Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS139IXTSA1
BSS139IXTSA1

BSS139IXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.82 грн
6000+5.08 грн
9000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS139IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm.

Інші пропозиції BSS139IXTSA1 за ціною від 4.51 грн до 30.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4595+7.69 грн
10000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 4595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4595+7.69 грн
10000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 4595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
6000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
6000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 INFINEON 3208407.pdf Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.92 грн
500+8.25 грн
1500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
520+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 11079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.42 грн
100+10.35 грн
500+7.24 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS139I_DataSheet_v02_01_EN-2237815.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.68 грн
21+15.97 грн
100+7.68 грн
500+7.47 грн
1000+6.20 грн
3000+4.86 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 INFINEON 3208407.pdf Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.75 грн
52+16.03 грн
100+11.92 грн
500+8.25 грн
1500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 100mA; 360mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
BSS139IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4595+7.69 грн
10000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 4595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
BSS139IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4595+7.69 грн
10000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 4595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
BSS139IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.66 грн
6000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
BSS139IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.67 грн
6000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 3208407.pdf
BSS139IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.92 грн
500+8.25 грн
1500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
BSS139IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
520+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
BSS139IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 11079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.75 грн
19+16.42 грн
100+10.35 грн
500+7.24 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 Infineon_BSS139I_DataSheet_v02_01_EN-2237815.pdf
BSS139IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+29.68 грн
21+15.97 грн
100+7.68 грн
500+7.47 грн
1000+6.20 грн
3000+4.86 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 3208407.pdf
BSS139IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+30.75 грн
52+16.03 грн
100+11.92 грн
500+8.25 грн
1500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 100mA; 360mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.