
BSS139IXTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.70 грн |
6000+ | 5.08 грн |
9000+ | 4.52 грн |
15000+ | 4.19 грн |
21000+ | 4.18 грн |
30000+ | 4.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS139IXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSS139IXTSA1 за ціною від 4.70 грн до 35.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 32134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS139IXTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 100mA; 360mW; SOT23; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 7.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Application: automotive industry Electrical mounting: SMT |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS139IXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |